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Language
日本語
English
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インデックス
研究調査報告書
科学研究費成果報告書
Permalink : http://hdl.handle.net/10228/476
半導体量子構造系におけるキャリアー量子捕獲および離脱機構
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File / Name
License
16360157seika.pdf
16360157seika.pdf (1.03MB)
[ 52 downloads ]
アイテムタイプ
研究報告書 = Research Paper
言語
日本語
キーワード
quantum wells, Ⅲ-nitride semiconductors, light-emitting-diodes, photoluminessence, electroluminescence, InGaN
著者
藤原 賢三
( 科研費研究者番号:
90243980
, Scopus著者ID:
7403468236
)
著者別名
Fujiwara Kenzo
( 科研費研究者番号:
90243980
, Scopus著者ID:
7403468236
)
著者所属
九州工業大学工学部
抄録
＜はしがき＞この報告書は、平成１６年度から３年間にわたり実施したInGaN量子井戸構造を有する発光ダイオードの発光効率に関する研究をまとめたものである。エレクトロルミネッセンス効率の注入電流と温度依存性、フォトルミネッセンス発光効率の外部バイアスと温度依存性、光励起波長依存性、光励起強度依存性についての結果を総合的にまとめたものである。
内容記述
平成16年度～平成18年度科学研究費補助金（基盤研究（B）） 研究成果報告書
発行年
2007-06
出版者
九州工業大学
科研課題番号
16360157
版
none
査読の有無
no
資料タイプ
Research Paper
備考
別刷論文(8-11,13-16,25-28,30-34,36-39,44-47,49-78)削除 / 登録別刷論文(1)Electroluminescence efficiency of blue InGaN/GaN quantum-well diodes with and without an n-InGaN electron reservoir layer. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 100, 113105 (2006) (7pages) © 2006 American Institute of Physics, https://doi.org/10.1063/1.2398690 / 登録別刷論文(2)Hole escape processes detrimental to photoluminescence efficiency in a blue InGaN multiple-quantum-well diode under reverse bias conditions. Appl. Phys. Lett. 90, 161109 (2007) (3pages) © 2007 American Institute of Physics, https://doi.org/10.1063/1.2723683
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