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Vertical transport in all-binary GaAs/AlAs short-period superlattices and carrier trapping and detrapping dynamics by different quantum wells
Fujiwara Kenzo
,
Satake A
,
Schrottke L
,
Hey R
,
Grahn H.T
Physica status solidi. B, Basic solid state physics,244(8),2926-2935 (2007-07)
pdf
Significance of vertical carrier capture for electroluminescence efficiency in InGaN multiple-quantum well diodes
Inada T
,
Satake Akihiro
,
Fujiwara Kenzo
physica status solidi (c),4(7),2768-2771 (2007-06)
pdf
Hole escape processes detrimental to photoluminescence efficiency in a blue InGaN multiple-quantum-well diode under reverse bias conditions
Inoue T
,
Fujiwara Kenzo
Applied Physics Letters,90(16),161109-1-161109-3 (2007-04-17)
pdf
Ultra-low frequency photocurrent self-oscillation in strained InxGa1-xAs quantum well diodes
Tanigawa K
,
Fujiwara Kenzo
,
Sano N
Journal of Crystal Growth,301-302,902-905 (2007-04)
pdf
Impact of forward bias on electroluminescence efficiency in blue and green InGaN quantum well diodes: a comparative study
Hori A
,
Yasunaga D
,
Fujiwara Kenzo
Thin Solid Films,515(10),4480-4483 (2007-03)
pdf
Electroluminescence efficiency of blue InGaN/GaN quantum-well diodes with and without an n-InGaN electron reservoir layer
Otsuji N
,
Fujiwara Kenzo
,
Sheu J.K.
Journal of Applied Physics,100(11),113105-1-113105-7 (2006-12-05)
pdf
Anti-Stokes photoluminescence between Inx(Al0.17Ga0.83)1-xAs/ Al0.17Ga0.83As quantum wells with different x values
Machida S
,
Takakuma T
,
Fujiwara kenzo
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures,33(1),196-200 (2006-06)
pdf
Carrier capture and escape processes in (In,Ga)N singlequantum-well diode under forward bias condition by photoluminescence spectroscopy
Satake Akihiro
,
Soejima K
,
Aizawa H
,
Fujiwara Kenzo
Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics,3(6),2203-2206 (2006-05)
pdf
Interplay of external and internal field effects on radiative recombination efficiency in InGaN quantum well diodes
Aizawa H
,
Soejima K
,
Hori A
,
Satake Akihiro
,
Fujiwara Kenzo
Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics,3(3),589-593 (2006-02)
pdf
Electric-field dependence of luminescence spectra of (In,Ga)N/GaN LEDs containing quantum wells
Jahn U
,
Dhar S
,
Ramsteiner M
,
Fujiwara Kenzo
physica status solidi (a),201(12),2619-2623 (2004-09)
pdf
Dynamical simulation of phonon-assisted asymmetric transfer of photoexcited carriers in step-graded multiple quantum wells
Machida S
,
Matsuo M
,
Fujiwara Kenzo
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures,23(1-2),45-49 (2004-06)
pdf
Unusual temperature dependence of electroluminescence intensity in blue InGaN single quantum well diodes
Hori Atsuhiro
,
Yasunaga Daisuke
,
Fujiwara Kenzo
Microelectronics Journal,35(4),363-366 (2004-04)
pdf
Field-dependent nonlinear luminescence response of (In,Ga)N/GaN quantum wells
Jahn U
,
Dhar S
,
Ramsteiner M
,
Fujiwara Kenzo
Physical review B. Condensed matter and materials physics,69(11),115323-1-115323-8 (2004-03-19)
pdf
Strong Photoluminescence Emission from an Excited-Subband Exciton State in a GaAs/AlxGa1−xAs Triple Quantum Well with Different Well Thicknesses
Satake Akihiro
,
Shiraishi N
,
Takata N
,
Fujiwara Kenzo
,
Schrottke L
,
Grahn H.T.
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures,21(2-4),641-645 (2004-03)
pdf
Temperature-dependent electroluminescence anomalies influenced by injection current level in InGaN single-quantum-well diodes
Bakmiwewa P
,
Hori A
,
Satake Akihiro
,
Fujiwara Kenzo
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures,21(2-4),636-640 (2004-03)
pdf
Low-energy electron-beam irradiation of GaN-based quantum well structures
Jahn U
,
Dhar S
,
Kostial H
,
Watson I.M
,
Fujiwara Kenzo
physica status solidi (c),(7),2223-2226 (2003-10)
pdf
Dynamics of unidirectional phonon-assisted transport of photoexcited carriers in step-graded Inx(Al0.17Ga0.83)1-xAs/Al0.17Ga0.83As multiple quantum wells
Machida S
,
Matsuo M
,
Fujiwara Kenzo
,
Folkenberg J.R.
,
Hvam J.M.
Physical review B. Condensed matter and materials physics,67(20),205322-1-205322-7 (2003-05-27)
pdf
Electron-beam-induced modifications of electronic properties in GaN-based quantum well structures
Jahn U
,
Dhar S
,
Waltereit P
,
Kostial H
,
Watson IM
,
Fujiwara Kenzo
Institute of Physics conference series,180,337-340 (2003)
pdf
Asymmetric external electric field effects on luminescence intensity of InGaN single-quantum-well light-emitting diode
Satake Akihiro
,
Hori A
,
Takahashi Y
,
Yasunaga D
,
Fujiwara Kenzo
Journal of Physics: Conference Series,171, (2003)
pdf
Temperature and current dependent capture of injected carriers in InGaN single-quantum-well light-emitting diodes
Hori A
,
Yasunaga D
,
Satake Akihiro
,
Fujiwara Kenzo
physica status solidi (a),192(1),44-48 (2002-06)
pdf
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