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  1. 学術雑誌論文
  2. 4 自然科学

Stokes and anti-Stokes photoluminescence towards five different Inx(Al0.17Ga0.83)1–xAs/Al0.17Ga0.83As quantum wells

http://hdl.handle.net/10228/362
http://hdl.handle.net/10228/362
b18ef0ec-12bc-47b4-94e9-d2b7bdf7747c
名前 / ファイル ライセンス アクション
1.2121928.pdf 1.2121928.pdf (89.3 kB)
アイテムタイプ 学術雑誌論文 = Journal Article(1)
公開日 2007-11-19
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
タイトル
タイトル Stokes and anti-Stokes photoluminescence towards five different Inx(Al0.17Ga0.83)1–xAs/Al0.17Ga0.83As quantum wells
言語 en
言語
言語 eng
著者 Machida, S.

× Machida, S.

WEKO 564

en Machida, S.

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Tadakuma, T.

× Tadakuma, T.

WEKO 565

en Tadakuma, T.

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佐竹, 昭泰

× 佐竹, 昭泰

WEKO 252
e-Rad 90325572
Scopus著者ID 56259812400
九工大研究者情報 86

en Satake, Akihiro

ja 佐竹, 昭泰

ja-Kana サタケ, アキヒロ


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藤原, 賢三

× 藤原, 賢三

WEKO 1138
e-Rad 90243980
Scopus著者ID 7403468236

en Fujiwara, Kenzo

ja 藤原, 賢三

ja-Kana フジワラ, ケンゾウ


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Folkenberg, J. R.

× Folkenberg, J. R.

WEKO 568

en Folkenberg, J. R.

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Hvam, J. M.

× Hvam, J. M.

WEKO 569

en Hvam, J. M.

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Stokes and anti-Stokes photoluminescence (AS-PL) has been investigated in a step-graded Inx(Al0.17Ga0.83)1–xAs/Al0.17Ga0.83As quantum-well (QW) heterostructure consisting of five QWs with different x values. Stokes PL spectra of this sample show a significant difference in PL intensity between the wells under indirect excitation conditions due to the existence of competitive resonant and nonresonant capture processes, while they exhibit a rather uniform PL intensity distribution under direct excitation. When the excitation wavelength is tuned to 810 nm for AS-PL detection, it is transparent to the five QWs and thus the photoabsorption can only occur in the GaAs (rear buffer and front cap) layers. It is found that the AS-PL spectra show a similar intensity distribution to the one observed under the indirect excitation. This result means that the AS-PL intensity distribution of the QWs is basically determined by the competitive capture of photoexcited carriers through the thick barriers, generated far from the five wells due to the nonlinear excitation processes in GaAs. ©2005 American Institute of Physics
言語 en
書誌情報 en : Journal of Applied Physics

巻 98, 号 8, p. 083527-1-083527-4, 発行日 2005-10-15
出版社
出版者 American Institute of Physics
言語 en
DOI
関連タイプ isIdenticalTo
識別子タイプ DOI
関連識別子 https://doi.org/10.1063/1.2121928
CRID
関連タイプ isIdenticalTo
識別子タイプ URI
関連識別子 https://cir.nii.ac.jp/crid/1050282813886357888
日本十進分類法
主題Scheme NDC
主題 429
NCID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00693547
ISSN
収録物識別子タイプ EISSN
収録物識別子 1089-7550
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 0021-8979
著作権関連情報
権利情報 Copyright © 2005 American Institute of Physics
キーワード
主題Scheme Other
主題 indium compounds
キーワード
主題Scheme Other
主題 aluminium compounds
キーワード
主題Scheme Other
主題 gallium arsenide
キーワード
主題Scheme Other
主題 III-V semiconductors
キーワード
主題Scheme Other
主題 semiconductor quantum wells
キーワード
主題Scheme Other
主題 photoluminescence
キーワード
主題Scheme Other
主題 spectral line intensity
キーワード
主題Scheme Other
主題 photoexcitation
キーワード
主題Scheme Other
主題 photoconductivity
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
査読の有無
値 yes
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Ver.1 2023-05-15 13:07:56.641168
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