WEKO3
アイテム
Comparison of the instability in device characteristics for thin-film SOI power n- and p-MOSFETs at high temperature under AC stress
http://hdl.handle.net/10228/0002000307
http://hdl.handle.net/10228/00020003077ef31bd9-8231-41a9-aee8-015af589d625
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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nperc189.pdf (683 KB)
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| アイテムタイプ | 学術雑誌論文 = Journal Article(1) | |||||||||||||||
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| 公開日 | 2023-12-06 | |||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||
| タイトル | Comparison of the instability in device characteristics for thin-film SOI power n- and p-MOSFETs at high temperature under AC stress | |||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||||
| 著者 |
Yamanishi, Riki
× Yamanishi, Riki
× 松本, 聡
WEKO
27142
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| 抄録 | ||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||||
| 内容記述 | In this study, we compare the device instability (hot carrier effect, negative bias temperature instability (NBTI), and positive bias temperature instability (PBTI)) of a thin-film Silicon on Insulator (SOI) power n-MOSFET and p-MOSFET at a high temperature under AC stress. For a p-MOSFET, the degradation rate of the on-resistance increases with an increase in temperature beyond 373 K. Contrarily, for an n-MOSFET, the degradation rate decreases with an increase in temperature. For a p-MOSFET, the threshold voltage shift increases with an increase in temperature due to the NBTI, whereas, for an n-MOSFET, it decreases with an increase in temperature. This is because the hot carrier effect decreases with an increase in temperature under AC stress. In this study, we clarify that the instability mechanism of the p-MOSFET under AC stress is different from that of the n-MOSFET. | |||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||
| 書誌情報 |
en : Microelectronics Reliability 巻 126, p. 114301, 発行日 2021-12-06 |
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| 出版社 | ||||||||||||||||
| 出版者 | Elsevier | |||||||||||||||
| DOI | ||||||||||||||||
| 関連タイプ | isVersionOf | |||||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||||||
| 関連識別子 | https://doi.org/10.1016/j.microrel.2021.114301 | |||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | EISSN | |||||||||||||||
| 収録物識別子 | 1872-941X | |||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | PISSN | |||||||||||||||
| 収録物識別子 | 0026-2714 | |||||||||||||||
| 著作権関連情報 | ||||||||||||||||
| 権利情報 | Copyright (c) 2021 Published by Elsevier Ltd. | |||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||
| 主題 | Thin-film SOI power MOSFETs | |||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||
| 主題 | Hot carrier effect | |||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||
| 主題 | Bias temperature instability | |||||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||||
| 出版タイプ | AM | |||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa | |||||||||||||||
| 査読の有無 | ||||||||||||||||
| 値 | yes | |||||||||||||||
