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  1. 学術雑誌論文
  2. 5 技術(工学)

Laminated wafer with conductive diamond layer formed by surface-activated bonding at room temperature for micro-electro mechanical system sensors

http://hdl.handle.net/10228/0002000756
http://hdl.handle.net/10228/0002000756
25ac9b3c-84bb-43d5-9ed4-ed4926f7c380
名前 / ファイル ライセンス アクション
10430578.pdf 10430578.pdf (2 MB)
アイテムタイプ 学術雑誌論文 = Journal Article(1)
公開日 2024-06-11
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
タイトル
タイトル Laminated wafer with conductive diamond layer formed by surface-activated bonding at room temperature for micro-electro mechanical system sensors
言語 en
言語
言語 eng
著者 Koga, Yoshihiro

× Koga, Yoshihiro

en Koga, Yoshihiro

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山田, 駿介

× 山田, 駿介

WEKO 35477
e-Rad 50811634
Scopus著者ID 56683618300
ORCiD 0000-0002-9084-2070
九工大研究者情報 100001774

ja 山田, 駿介

ja-Kana ヤマダ, シユンスケ

en Yamada, Shunsuke


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Tanaka, Shuji

× Tanaka, Shuji

en Tanaka, Shuji

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Kurita, Kazunari

× Kurita, Kazunari

en Kurita, Kazunari

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 We propose the use of a laminated wafer with a conductive diamond layer for forming cavities as an alternative silicon-on-insulator wafer for micro-electro mechanical system (MEMS) sensors. Since this wafer has no insulator such as a buried oxide (BOX) layer but a conductive layer, it is not charged during plasma treatment in MEMS sensor fabrication processes. The conductive diamond layer was formed on a base wafer doped with boron of more than 2 × 1021 atoms cm−3 by microwave-plasma-enhanced chemical vapor deposition. The resistivity of this layer was 0.025 Ω cm, and this layer can be selectively etched to a base wafer made of silicon crystal, such as a BOX layer. In addition, a silicon wafer can be bonded to its layer without voids with gaps of more than 2 nm by surface-activated bonding. Therefore, we believe that the laminated wafer studied here is useful for the fabrication processes for MEMS sensors that may otherwise be damaged by plasma treatment.
言語 en
書誌情報 en : Japanese Journal of Applied Physics

巻 61, 号 SF, p. SF1007, 発行日 2022-04-20
出版社
出版者 応用物理学会
言語 ja
DOI
関連タイプ isIdenticalTo
識別子タイプ DOI
関連識別子 https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac6056
NCID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA12295836
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 0021-4922
ISSN
収録物識別子タイプ EISSN
収録物識別子 1347-4065
著作権関連情報
権利情報Resource https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
権利情報 Copyright (c) 2022 The Author(s). Published on behalf of The Japan Society of Applied Physics by IOP Publishing Ltd. Content from this work may be used under the terms of the Creative Commons Attribution 4.0 license. Any further distribution of this work must maintain attribution to the author(s) and the title of the work, journal citation and DOI.
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
査読の有無
値 yes
研究者情報
URL https://hyokadb02.jimu.kyutech.ac.jp/html/100001774_ja.html
論文ID(連携)
値 10430578
連携ID
値 12280
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Ver.1 2024-06-11 01:32:41.084735
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