WEKO3
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SOI-パワーMOSFETにおける寄生バイポーラ効果と機械的応力効果の実験的評価
http://hdl.handle.net/10228/0002001465
http://hdl.handle.net/10228/0002001465e5c9b203-ed40-4522-bc28-c6fb24a13d20
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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nperc199.pdf (1.4 MB)
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| アイテムタイプ | 共通アイテムタイプ(1) | |||||||||||||||||||||
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| 公開日 | 2025-03-12 | |||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||
| タイトル | SOI-パワーMOSFETにおける寄生バイポーラ効果と機械的応力効果の実験的評価 | |||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||
| タイトル | Experimental Evaluation of Parasitic Bipolar Effects and Mechanical Stress Effects in SOI-Power-MOSFETs | |||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||
| 著者 |
塩塚, 航生
× 塩塚, 航生
× 小金丸, 正明
× 松本, 聡
WEKO
27142
× 池田, 徹
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| 著作権関連情報 | ||||||||||||||||||||||
| 権利情報 | Copyright (c) 2022 一般社団法人エレクトロニクス実装学会 | |||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||
| 抄録 | ||||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||||||||||
| 内容記述 | 本研究では，SOI－パワーMOSFETにおける寄生バイポーラ効果と機械的応力効果を実験的に評価し，それらの相互作用を明らかにすることを目的とした。機械的負荷下での電気特性変動は，4点曲げ試験により評価した。ドレイン電圧-ドレイン電流特性では，ゲート電圧が小さいほど寄生バイポーラ効果によるドレイン電流の増加が顕著に見られた。ピエゾ効果のみによる電流特性変動領域と寄生バイポーラ効果が発現する領域との比較から，寄生バイポーラ効果が機械的負荷に起因する電気特性変動を加速させることが示唆された。また，電流方向に対する負荷方向依存性の存在が示唆されたが，ゲート長さ依存性は明確にならなかった。 | |||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||
| 抄録 | ||||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||||||||||
| 内容記述 | This paper reports on an experimental evaluation of mechanical stress effects in SOI (Silicon on Insulator) power devices. In particular, this study focuses on the interaction of parasitic bipolar effects which are unique physical phenomenon of SOI-type devices. The electrical characteristics of SOI-power-nMOSFETs (power n-type Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect-transistors) under mechanical loading are measured using a four-point bending method. It is demonstrated that the parasitic bipolar effects may accelerate the electrical variation induced by the mechanical stress effects. In addition, the experimental results show the following: • There may be a load direction dependence in the drain conductance change under the parasitic bipolar region. • Gate-length dependence is not clarified. |
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| 言語 | en | |||||||||||||||||||||
| 書誌情報 |
ja : エレクトロニクス実装学会誌 巻 25, 号 1, p. 103-110, 発行日 2022-01-01 |
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| 出版社 | ||||||||||||||||||||||
| 出版者 | エレクトロニクス実装学会 | |||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||||||
| 主題 | SOI | |||||||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||||||
| 主題 | MOSFET | |||||||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||||||
| 主題 | 4-point Bending | |||||||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||||||
| 主題 | Mechanical Stress Effects | |||||||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||||||
| 主題 | Parasitic Bipolar Effects | |||||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||||||||
| DOI | ||||||||||||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||||||||||||
| 関連識別子 | https://doi.org/10.5104/jiep.JIEP-D-21-00007 | |||||||||||||||||||||
| CRID | ||||||||||||||||||||||
| 識別子タイプ | CRID | |||||||||||||||||||||
| 関連識別子 | https://cir.nii.ac.jp/crid/1390009142390959360 | |||||||||||||||||||||
| NCID | ||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | AA11231565 | |||||||||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | PISSN | |||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 1343-9677 | |||||||||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | EISSN | |||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 1884-121X | |||||||||||||||||||||
| 連携ID | ||||||||||||||||||||||
| 値 | 10342 | |||||||||||||||||||||
