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  1. 学術雑誌論文
  2. 4 自然科学

Thermoelectric properties of n-type nanocrystalline bismuth-telluride-based thin films deposited by flash evaporation

http://hdl.handle.net/10228/576
http://hdl.handle.net/10228/576
73a098cf-a068-4acb-aeee-97aa304a906f
名前 / ファイル ライセンス アクション
101.pdf 101.pdf (513.0 kB)
アイテムタイプ 学術雑誌論文 = Journal Article(1)
公開日 2007-12-27
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
タイトル
タイトル Thermoelectric properties of n-type nanocrystalline bismuth-telluride-based thin films deposited by flash evaporation
言語 en
言語
言語 eng
著者 Takashiri, M

× Takashiri, M

WEKO 1657

en Takashiri, M

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Takiishi, M

× Takiishi, M

WEKO 1658

en Takiishi, M

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Tanaka, S

× Tanaka, S

WEKO 1659

en Tanaka, S

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宮崎, 康次

× 宮崎, 康次

WEKO 679
e-Rad 70315159
Scopus著者ID 7403193768
ORCiD 0000-0001-6002-343X

ja 宮崎, 康次

en Miyazaki, Koji

ja-Kana ミヤザキ, コウジ


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塚本, 寛

× 塚本, 寛

WEKO 673
e-Rad 50117305

en Tsukamoto, Hiroshi

ja 塚本, 寛

ja-Kana ツカモト, ヒロシ


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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 The thermal conductivity of n-type nanocrystalline bismuth-telluride-based thin films (Bi2.0Te2.7Se0.3) is investigated by a differential 3 method at room temperature. The nanocrystalline thin films are grown on a glass substrate by a flash evaporation method, followed by hydrogen annealing at 250 °C. The structure of the thin films is studied by means of atomic force microscopy, x-ray diffraction, and energy-dispersive x-ray spectroscopy. The thin films exhibit an average grain size of 60 nm and a cross-plane thermal conductivity of 0.8 W/m K. The in-plane electrical conductivity and in-plane Seebeck coefficient are also investigated. Assuming that the in-plane thermal conductivity of the thin films is identical to that of the cross-plane direction, the in-plane figure of merit of the thin films is estimated to be ZT=0.7. As compared with a sintered bulk sample with average grain size of 30 µm and nearly the same composition as the thin films, the nanocrystalline thin films show approximately a 50% reduction in the thermal conductivity, but the electrical conductivity also falls 40%. The reduced thermal and electrical conductivities are attributed to increased carrier trapping and scattering in the nanocrystalline film.
言語 en
書誌情報 en : Journal of Applied Physics

巻 101, 号 7, p. 074301-1-074301-5, 発行日 2007-04-04
出版社
出版者 American Institute of Physics
言語 en
DOI
関連タイプ isIdenticalTo
識別子タイプ DOI
関連識別子 https://doi.org/10.1063/1.2717867
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 0021-8979
ISSN
収録物識別子タイプ EISSN
収録物識別子 1089-7550
著作権関連情報
権利情報 Copyright © 2007 American Institute of Physics
キーワード
主題Scheme Other
主題 bismuth compounds
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主題Scheme Other
主題 semiconductor materials
キーワード
主題Scheme Other
主題 semiconductor thin films
キーワード
主題Scheme Other
主題 nanostructured materials
キーワード
主題Scheme Other
主題 vacuum deposition
キーワード
主題Scheme Other
主題 thermal conductivity
キーワード
主題Scheme Other
主題 annealing
キーワード
主題Scheme Other
主題 atomic force microscopy
キーワード
主題Scheme Other
主題 X-ray diffraction
キーワード
主題Scheme Other
主題 X-ray chemical analysis
キーワード
主題Scheme Other
主題 grain size
キーワード
主題Scheme Other
主題 electrical conductivity
キーワード
主題Scheme Other
主題 Seebeck effect
キーワード
主題Scheme Other
主題 electron traps
キーワード
主題Scheme Other
主題 hole traps
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
査読の有無
値 yes
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Ver.1 2023-05-15 13:07:32.998006
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