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  1. 学術雑誌論文
  2. 4 自然科学

Structure and thermoelectric properties of boron doped nanocrystalline Si0.8Ge0.2 thin film

http://hdl.handle.net/10228/577
http://hdl.handle.net/10228/577
057533be-12d4-4738-818f-912bf66bf918
名前 / ファイル ライセンス アクション
100.pdf 100.pdf (287.9 kB)
アイテムタイプ 学術雑誌論文 = Journal Article(1)
公開日 2007-12-27
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
タイトル
タイトル Structure and thermoelectric properties of boron doped nanocrystalline Si0.8Ge0.2 thin film
言語 en
言語
言語 eng
著者 Takashiri, M

× Takashiri, M

WEKO 1664

en Takashiri, M

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Borca-Tasciuc, T

× Borca-Tasciuc, T

WEKO 1665

en Borca-Tasciuc, T

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Jacquot, A

× Jacquot, A

WEKO 1666

en Jacquot, A

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宮崎, 康次

× 宮崎, 康次

WEKO 679
e-Rad 70315159
Scopus著者ID 7403193768
ORCiD 0000-0001-6002-343X

ja 宮崎, 康次

en Miyazaki, Koji

ja-Kana ミヤザキ, コウジ


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Chen, G

× Chen, G

WEKO 1668

en Chen, G

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 The structure and thermoelectric properties of boron doped nanocrystalline Si0.8Ge0.2 thin films are investigated for potential application in microthermoelectric devices. Nanocrystalline Si0.8Ge0.2 thin films are grown by low-pressure chemical vapor deposition on a sandwich of Si3N4/SiO2/Si3N4 films deposited on a Si (100) substrate. The Si0.8Ge0.2 film is doped with boron by ion implantation. The structure of the thin film is studied by means of atomic force microscopy, x-ray diffraction, and transmission electron microscopy. It is found that the film has column-shaped crystal grains ~100 nm in diameter oriented along the thickness of the film. The electrical conductivity and Seebeck coefficient are measured in the temperature range between 80–300 and 130–300 K, respectively. The thermal conductivity is measured at room temperature by a 3 method. As compared with bulk silicon-germanium and microcrystalline film alloys of nearly the same Si/Ge ratio and doping concentrations, the Si0.8Ge0.2 nanocrystalline film exhibits a twofold reduction in the thermal conductivitity, an enhancement in the Seebeck coefficient, and a reduction in the electrical conductivity. Enhanced heat carrier scattering due to the nanocrystalline structure of the films and a combined effect of boron segregation and carrier trapping at grain boundaries are believed to be responsible for the measured reductions in the thermal and electrical conductivities, respectively.
言語 en
書誌情報 en : Journal of Applied Physics

巻 100, 号 5, p. 054315-1-054315-5, 発行日 2006-09-14
出版社
出版者 American Institute of Physics
言語 en
DOI
関連タイプ isIdenticalTo
識別子タイプ DOI
関連識別子 https://doi.org/10.1063/1.2337392
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 0021-8979
ISSN
収録物識別子タイプ EISSN
収録物識別子 1089-7550
著作権関連情報
権利情報 Copyright © 2006 American Institute of Physics
キーワード
主題Scheme Other
主題 boron
キーワード
主題Scheme Other
主題 Ge-Si alloys
キーワード
主題Scheme Other
主題 semiconductor materials
キーワード
主題Scheme Other
主題 nanostructured materials
キーワード
主題Scheme Other
主題 semiconductor thin films
キーワード
主題Scheme Other
主題 Seebeck effect
キーワード
主題Scheme Other
主題 atomic force microscopy
キーワード
主題Scheme Other
主題 X-ray diffraction
キーワード
主題Scheme Other
主題 transmission electron microscopy
キーワード
主題Scheme Other
主題 electrical conductivity
キーワード
主題Scheme Other
主題 thermal conductivity
キーワード
主題Scheme Other
主題 impurity distribution
キーワード
主題Scheme Other
主題 segregation,
キーワード
主題Scheme Other
主題 grain boundaries
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
査読の有無
値 yes
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Ver.1 2023-05-15 13:07:31.587383
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