WEKO3
アイテム
Si表面の水素定量と水素終端面上でのAg薄膜形成初期過程の研究
http://hdl.handle.net/10228/4460
http://hdl.handle.net/10228/44603be46d78-9e36-4cdf-a0d2-7c2004cbb718
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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tech68_p31_39.pdf (6.1 MB)
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| Item type | 紀要論文 = Departmental Bulletin Paper(1) | |||||||||||
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| 公開日 | 2010-01-28 | |||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||||||
| タイトル | ||||||||||||
| タイトル | Si表面の水素定量と水素終端面上でのAg薄膜形成初期過程の研究 | |||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||
| タイトル | ||||||||||||
| タイトル | Hydrogen Concentration and Atomic Structure Analyses for the Hydrogen Termination of Si Surfaces and the Ag Thin Film Growth Thereon | |||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| 言語 | ||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||
| 著者 |
内藤, 正路
× 内藤, 正路
WEKO
592
× 西垣, 敏 |
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| 書誌情報 |
九州工業大学研究報告. 工学 en : Bulletin of the Kyushu Institute of Technology. Science and technology 号 68, p. 31-39, 発行日 1996-03-01 |
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| 出版者 | ||||||||||||
| 出版者 | 九州工業大学工学部 | |||||||||||
| ISSN | ||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | PISSN | |||||||||||
| 収録物識別子 | 0453-0357 | |||||||||||
| 版 | ||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||
| 査読の有無 | ||||||||||||
| 値 | no | |||||||||||
