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  1. 学術雑誌論文
  2. 4 自然科学

Solution-processed n-type organic thin-film transistors with high field-effect mobility

http://hdl.handle.net/10228/583
http://hdl.handle.net/10228/583
6690be94-c846-45aa-b30d-b191c26e0970
名前 / ファイル ライセンス アクション
1.2130712.pdf 1.2130712.pdf (343.9 kB)
アイテムタイプ 学術雑誌論文 = Journal Article(1)
公開日 2007-12-27
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
タイトル
タイトル Solution-processed n-type organic thin-film transistors with high field-effect mobility
言語 en
言語
言語 eng
著者 Chikamatsu, Masayuki

× Chikamatsu, Masayuki

WEKO 1701

en Chikamatsu, Masayuki

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永松, 秀一

× 永松, 秀一

WEKO 1670
e-Rad 70404093
Scopus著者ID 7006445804
ORCiD 0000-0002-9181-1831
九工大研究者情報 217

en Nagamatsu, Shuichi

ja 永松, 秀一

ja-Kana ナガマツ, シュウイチ


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Yoshida, Yuji

× Yoshida, Yuji

WEKO 1703

en Yoshida, Yuji

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Saito, Kazuhiro

× Saito, Kazuhiro

WEKO 1704

en Saito, Kazuhiro

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Yase, Kiyoshi

× Yase, Kiyoshi

WEKO 1705

en Yase, Kiyoshi

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Kikuchi, Koichi

× Kikuchi, Koichi

WEKO 1706

en Kikuchi, Koichi

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 We report the performance of solution-processed n-type organic thin-film transistors (OTFTs) based on C60 derivatives. Long-chain alkyl-substituted C60, C60-fused N-methylpyrrolidine-meta-C12 phenyl (C60MC12), was used as a semiconducting layer. The C60MC12-thin-film transistor shows high electron mobility of 0.067 cm2/V s in saturation regime. From the result of x-ray diffraction analysis, the C60MC12 active layer forms highly ordered crystalline film. We found that self-assemble ability of long alkyl chains plays an important role for fabrication of highly ordered crystalline film, leading to achievement of high electron mobility in solution-processed n-type OTFTs.
言語 en
書誌情報 en : Applied Physics Letters

巻 87, 号 203504, p. 203504-1-203504-3, 発行日 2005-11-08
出版社
出版者 American Institute of Physics
言語 en
DOI
関連タイプ isIdenticalTo
識別子タイプ DOI
関連識別子 https://doi.org/10.1063/1.2130712
CRID
関連タイプ isIdenticalTo
識別子タイプ URI
関連識別子 https://cir.nii.ac.jp/crid/1573668926262117632
日本十進分類法
主題Scheme NDC
主題 431
NCID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00543431
ISSN
収録物識別子タイプ EISSN
収録物識別子 1077-3118
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 0003-6951
著作権関連情報
権利情報 Copyright © 2005 American Institute of Physics
キーワード
主題Scheme Other
主題 organic semiconductors
キーワード
主題Scheme Other
主題 thin film transistors
キーワード
主題Scheme Other
主題 fullerene devices
キーワード
主題Scheme Other
主題 high electron mobility transistors
キーワード
主題Scheme Other
主題 X-ray diffraction
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
査読の有無
値 yes
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Ver.1 2023-05-15 13:10:17.498035
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