WEKO3
アイテム
C60 thin-film transistors with low work-function metal electrodes
http://hdl.handle.net/10228/584
http://hdl.handle.net/10228/58438d17282-fd31-46be-aaa2-3f8f3d8c345b
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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![]() |
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Item type | 学術雑誌論文 = Journal Article(1) | |||||||||||||
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公開日 | 2007-12-27 | |||||||||||||
資源タイプ | ||||||||||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||
資源タイプ | journal article | |||||||||||||
タイトル | ||||||||||||||
タイトル | C60 thin-film transistors with low work-function metal electrodes | |||||||||||||
言語 | en | |||||||||||||
言語 | ||||||||||||||
言語 | eng | |||||||||||||
著者 |
Chikamatsu, Masayuki
× Chikamatsu, Masayuki× 永松, 秀一
WEKO
1670
× Taima, Tetsuya× Yoshida, Yuji× Sakai, Natsuko× Yokokawa, Harumi× Saito, Kazuhiro× Yase, Kiyoshi |
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抄録 | ||||||||||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||
内容記述 | We report C60 thin-film transistor characteristics of top-contact structure with low work-function source and drain electrodes. The electron mobility of the Mg electrode device is one order of magnitude higher than that of the Ag electrode device. The depth profile obtained by using secondary-ion mass spectroscopy demonstrates that Mg atoms strongly diffuse into C60 film during Mg deposition. These findings indicate that the improved mobility is due to the reduction of the parasitic resistance under source and drain electrodes by the Mg doping effect. | |||||||||||||
書誌情報 |
Applied Physics Letters 巻 85, 号 12, p. 2396-2398, 発行日 2004-09-20 |
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出版社 | ||||||||||||||
出版者 | American Institute of Physics | |||||||||||||
DOI | ||||||||||||||
関連タイプ | isIdenticalTo | |||||||||||||
識別子タイプ | DOI | |||||||||||||
関連識別子 | https://doi.org/10.1063/1.1796530 | |||||||||||||
NAID | ||||||||||||||
関連タイプ | isIdenticalTo | |||||||||||||
識別子タイプ | NAID | |||||||||||||
関連識別子 | 120002440764 | |||||||||||||
日本十進分類法 | ||||||||||||||
主題Scheme | NDC | |||||||||||||
主題 | 431 | |||||||||||||
NCID | ||||||||||||||
収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||
収録物識別子 | AA00543431 | |||||||||||||
ISSN | ||||||||||||||
収録物識別子タイプ | PISSN | |||||||||||||
収録物識別子 | 0003-6951 | |||||||||||||
ISSN | ||||||||||||||
収録物識別子タイプ | EISSN | |||||||||||||
収録物識別子 | 1077-3118 | |||||||||||||
著作権関連情報 | ||||||||||||||
権利情報 | Copyright © 2004 American Institute of Physics | |||||||||||||
キーワード | ||||||||||||||
主題Scheme | Other | |||||||||||||
主題 | thin film transistors | |||||||||||||
キーワード | ||||||||||||||
主題Scheme | Other | |||||||||||||
主題 | fullerene devices | |||||||||||||
キーワード | ||||||||||||||
主題Scheme | Other | |||||||||||||
主題 | fullerenes | |||||||||||||
キーワード | ||||||||||||||
主題Scheme | Other | |||||||||||||
主題 | magnesium | |||||||||||||
キーワード | ||||||||||||||
主題Scheme | Other | |||||||||||||
主題 | silver | |||||||||||||
キーワード | ||||||||||||||
主題Scheme | Other | |||||||||||||
主題 | work function | |||||||||||||
キーワード | ||||||||||||||
主題Scheme | Other | |||||||||||||
主題 | electron mobility | |||||||||||||
キーワード | ||||||||||||||
主題Scheme | Other | |||||||||||||
主題 | secondary ion mass spectra | |||||||||||||
出版タイプ | ||||||||||||||
出版タイプ | VoR | |||||||||||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||
査読の有無 | ||||||||||||||
値 | yes | |||||||||||||
著者別名 | ||||||||||||||
姓名 | Nagamatsu, Shuichi | |||||||||||||
言語 | en | |||||||||||||
姓名 | 永松, 秀一 | |||||||||||||
言語 | ja | |||||||||||||
姓名 | ナガマツ, シュウイチ | |||||||||||||
言語 | ja-Kana | |||||||||||||
姓 | Nagamatsu | |||||||||||||
言語 | en | |||||||||||||
姓 | 永松 | |||||||||||||
言語 | ja | |||||||||||||
姓 | ナガマツ | |||||||||||||
言語 | ja-Kana | |||||||||||||
名 | Shuichi | |||||||||||||
言語 | en | |||||||||||||
名 | 秀一 | |||||||||||||
言語 | ja | |||||||||||||
名 | シュウイチ | |||||||||||||
言語 | ja-Kana |