WEKO3
アイテム
Excitonic electroluminescence at room temperature in an (In,Ga)As multiple-quantum-well diode
http://hdl.handle.net/10228/4695
http://hdl.handle.net/10228/4695b9ecf1c9-a223-47b0-bc26-0be8f34e13eb
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
ApplPhysLett_97_031103.pdf (206.8 kB)
|
|
| Item type | 学術雑誌論文 = Journal Article(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2010-09-21 | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Excitonic electroluminescence at room temperature in an (In,Ga)As multiple-quantum-well diode | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| 著者 |
Noriyasu, M.
× Noriyasu, M.× 藤原, 賢三 |
|||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | Electroluminescence (EL) spectra of an In0.15Ga0.85As/Al0.15Ga0.85As multiple-quantum-well p-i-n diode measured at 15.300 K are dominated by the ground heavy-hole exciton transition, as assigned from coincidence to the leading exciton resonance absorption energy. Although most of excitons thermally dissociate into free carriers populated up to the first excited confinement states at room temperature, radiative recombination is strongly enhanced at the exciton states. Simulated EL spectra based on the excitonic absorption spectra rigorously reproduce all of the excitonic EL features superposed on the exponentially tailing emission at the continuum states, showing coexistence of excitons and free carriers at room temperature. | |||||
| 書誌情報 |
Applied Physics Letters 巻 97, 号 03, p. 031103-1-031103-3, 発行日 2010-07-19 |
|||||
| 出版社 | ||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||
| DOI | ||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||
| 関連識別子 | https://doi.org/10.1063/1.3464559 | |||||
| NAID | ||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||
| 識別子タイプ | NAID | |||||
| 関連識別子 | 120002443283 | |||||
| 日本十進分類法 | ||||||
| 主題Scheme | NDC | |||||
| 主題 | 549 | |||||
| NCID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AA00543431 | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | PISSN | |||||
| 収録物識別子 | 0003-6951 | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | EISSN | |||||
| 収録物識別子 | 1077-3118 | |||||
| 著作権関連情報 | ||||||
| 権利情報 | Copyright © 2010 American Institute of Physics.This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | aluminium compounds | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | electroluminescence | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | excitons | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | gallium arsenide | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | III-V semiconductors | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | indium compounds | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | p-i-n diodes | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | semiconductor quantum wells | |||||
| 出版タイプ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| 査読の有無 | ||||||
| 値 | yes | |||||
| 研究者情報 | ||||||
| URL | https://hyokadb02.jimu.kyutech.ac.jp/html/66_ja.html | |||||
| 連携ID | ||||||
| 値 | 43 | |||||
| 業績ID | ||||||
| 値 | FF46C205A28E9B2649257799000A75C4 | |||||
| 情報源 | ||||||
| 識別子タイプ | URI | |||||
| 関連識別子 | http://www.aip.org/ | |||||
| 関連名称 | http://www.aip.org/ | |||||
