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  1. 学会・会議発表論文
  2. 学会・会議発表論文

Real-time Failure Monitoring System for High Power IGBT Under Acceleration Test Up to 500 A Stress

http://hdl.handle.net/10228/5736
http://hdl.handle.net/10228/5736
5fcfc921-7676-4cab-ae61-c4872ae1db61
名前 / ファイル ライセンス アクション
nperc38.pdf nperc38.pdf (1.6 MB)
アイテムタイプ 会議発表論文 = Conference Paper(1)
公開日 2016-09-13
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_5794
資源タイプ conference paper
タイトル
タイトル Real-time Failure Monitoring System for High Power IGBT Under Acceleration Test Up to 500 A Stress
言語 en
言語
言語 eng
著者 渡邉, 晃彦

× 渡邉, 晃彦

WEKO 16333
e-Rad_Researcher 80363406
Scopus著者ID 55197191200
九工大研究者情報 89

en Watanabe, Akihiko

ja 渡邉, 晃彦

ja-Kana ワタナベ, アキヒコ

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大村, 一郎

× 大村, 一郎

WEKO 16176
e-Rad_Researcher 10510670
Scopus著者ID 7003814580
九工大研究者情報 69

en Omura, Ichiro

ja 大村, 一郎

ja-Kana オオムラ, イチロウ

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Tsukuda, Masanori

× Tsukuda, Masanori

WEKO 16206

en Tsukuda, Masanori

Search repository
抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Real-time failure monitoring system for IGBT module was demonstrated under 500 A power cycling test. The system successfully captured internal phenomena occurred in interface regions of the device under test. Moreover, we proposed realtime failure analysis method by combining the real-time monitoring and image processing techniques. This failure analysis method enables to distinguish the place where degradation occurs in DUT and also trace internal degradation process to failure.
備考
内容記述タイプ Other
内容記述 2014 IEEE 26th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD), Jun 15-19, 2014, Hilton Waikoloa Village, Hawaii, USA
書誌情報 2014 IEEE 26th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD)

p. 338-341, 発行日 2014-06
出版社
出版社 IEEE
DOI
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ DOI
関連識別子 info:doi/10.1109/ISPSD.2014.6856045
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 1943-653X
著作権関連情報
権利情報 IEEE
出版タイプ
出版タイプ AM
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa
査読の有無
値 yes
連携ID
値 5556
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Ver.1 2023-05-15 14:34:08.069211
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