WEKO3
アイテム
Scattering Parameter Approach to Power MOSFET Design for EMI
http://hdl.handle.net/10228/5745
http://hdl.handle.net/10228/574565abb3ba-776d-416d-a4d7-ca6f0a660ad1
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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nperc16.pdf (492.0 kB)
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| アイテムタイプ | 会議発表論文 = Conference Paper(1) | |||||||||||
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| 公開日 | 2016-09-13 | |||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_5794 | |||||||||||
| 資源タイプ | conference paper | |||||||||||
| タイトル | ||||||||||||
| タイトル | Scattering Parameter Approach to Power MOSFET Design for EMI | |||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| 言語 | ||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||
| 著者 |
Tsukuda, Masanori
× Tsukuda, Masanori× Kawakami, Keiichiro× 大村, 一郎
WEKO
16176
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| 抄録 | ||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||
| 内容記述 | Electromagnetic interference (EMI) noise byavalanche oscillations is the major barrier to improve powerdevice performance. Especially the oscillations of three-terminaldevices are more complex than two-terminal devices in point ofthe mutual relationship between devices and external circuit. Scattering parameter (S-parameter) under avalanche condition is obtained to establish stable-unstable criterion with stability factor (K-factor). The stable-unstable criterion clearly indicates the unstable frequency range with each change in MOSFET design. In addition the oscillation mechanism on power MOSFET is modeled with junction capacitance, which is the same as that of diode. For EMI suppression, resonant frequency of external circuit has to be different from unstable frequency of MOSFETs. | |||||||||||
| 備考 | ||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||
| 内容記述 | 2012 24th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD 2012), June 3-7, 2012, Bruges, Belgium | |||||||||||
| 書誌情報 |
2012 24th International Symposium on Power Semiconductor Devices and Ics p. 181-184, 発行日 2012-06 |
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| 出版社 | ||||||||||||
| 出版社 | IEEE | |||||||||||
| DOI | ||||||||||||
| 関連タイプ | isVersionOf | |||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||
| 関連識別子 | info:doi/10.1109/ISPSD.2012.6229053 | |||||||||||
| 著作権関連情報 | ||||||||||||
| 権利情報 | IEEE | |||||||||||
| キーワード | ||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||
| 主題 | scattering parameter | |||||||||||
| キーワード | ||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||
| 主題 | stability factor(K-factor):power MOSFET | |||||||||||
| キーワード | ||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||
| 主題 | EMI | |||||||||||
| キーワード | ||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||
| 主題 | two-ports | |||||||||||
| キーワード | ||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||
| 主題 | dynamic avalanche | |||||||||||
| キーワード | ||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||
| 主題 | threeterminal | |||||||||||
| キーワード | ||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||
| 主題 | negative resistance | |||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||
| 出版タイプ | AM | |||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa | |||||||||||
| 査読の有無 | ||||||||||||
| 値 | yes | |||||||||||
| 連携ID | ||||||||||||
| 値 | 5563 | |||||||||||
