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  1. 学会・会議発表論文
  2. 学会・会議発表論文

Optimal Double Sided Gate Control of IGBT for Lower Turn-off Loss and Surge Voltage Suppression

http://hdl.handle.net/10228/5784
http://hdl.handle.net/10228/5784
7b53bc54-5d1f-4bfd-9869-e97f7c2b5f75
名前 / ファイル ライセンス アクション
nperc59.pdf nperc59.pdf (1.1 MB)
アイテムタイプ 会議発表論文 = Conference Paper(1)
公開日 2016-09-13
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_5794
資源タイプ conference paper
タイトル
タイトル Optimal Double Sided Gate Control of IGBT for Lower Turn-off Loss and Surge Voltage Suppression
言語 en
言語
言語 eng
著者 Harada, Shohei

× Harada, Shohei

WEKO 16447

en Harada, Shohei

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Tsukuda, Masanor

× Tsukuda, Masanor

WEKO 16448

en Tsukuda, Masanor

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大村, 一郎

× 大村, 一郎

WEKO 16176
e-Rad_Researcher 10510670
Scopus著者ID 7003814580
九工大研究者情報 69

en Omura, Ichiro

ja 大村, 一郎

ja-Kana オオムラ, イチロウ

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 The current density of power semiconductor devices continues to increase and, carrier injection has been enhanced by several methods even though turn-off loss tends to be increased. In order to address this problem, we propose a double sided gate IGBT and optimal gate control method for lower turn-off loss. TCAD simulation numerically shows that the proposed IGBT successfully decreases turn-off loss. Furthermore, the turn-off loss is further decreased with optimal control of the double sided gate without surge voltage increase. In addition, we consider the effects of stray inductance on the performance of double sided gate IGBT.
備考
内容記述タイプ Other
内容記述 CIPS 2016 International Conference on Integrated Power Electronics Systems, Mar 8-10, 2016, Nuremberg, Germany
書誌情報 International Conference on Integrated Power Electronics Systems (CIPS 2016)

巻 S04, p. 66-70, 発行日 2016-03
出版社
出版社 Vde Verlag
著作権関連情報
権利情報 IEEE
出版タイプ
出版タイプ AM
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa
査読の有無
値 yes
連携ID
値 5577
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Ver.1 2023-05-15 14:33:14.564698
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