@article{oai:kyutech.repo.nii.ac.jp:00004895,
 author = {Tsubota, Toshiki and 坪田, 敏樹 and 濱山, 知勇 and Hamayama, Tomoo and 村上, 直哉 and Murakami, Naoya and Ohno, Teruhisa and 横野, 照尚 and 末永, 知子 and Suenaga, Tomoko and 長畑, 博之 and Nagahata, Hiroyuki},
 issue = {404},
 journal = {電子情報通信学会技術研究報告. EMD, 機構デバイス},
 month = {Jan},
 note = {導電性ダイヤモンドを電気接触子に応用することを考えた。導電性CVDダイヤモンド膜をタングステン基板表面に合成した。その試料の表面形態、膜厚、電気抵抗値などを測定した。合成された膜の表面は、凹凸があり、電気接触子に好ましい形状であった。膜厚の合成時間依存性を測定した結果から、ダイヤモンドが析出するまでに炭化物層が形成されていることが示唆される。XRD測定の結果から、析出物にダイヤモンド相が含まれていることが確認できた。押し付けた状態での電気抵抗値を測定した結果、未処理のタングステン基板と同程度かそれ以下の電気抵抗値を示した。今後、更なる詳細な実験が必要である。, We try to use electroconductive CVD diamond film as the material for electrical contact. Electroconductive CVD diamond film was synthesized on W plate. Surface morphology, thickness of the deposit, electrical resistance, and so on were measured. The surface morphology should be suitable for electrical contact. Before the deposition of diamond layer, carbide should be synthesized on the substrate. The electrical resistance at pressed condition was measured, and the values were similar to that of W plate, which is the substrate of this CVD process.},
 pages = {21--25},
 title = {電気接触子への応用を目指した導電性ダイヤモンド膜の合成},
 volume = {108},
 year = {2009},
 yomi = {ツボタ, トシキ and オウノ, テルヒサ}
}