@article{oai:kyutech.repo.nii.ac.jp:00005271,
 author = {平本,  俊郎 and Omura, Ichiro and 大村, 一郎},
 issue = {11},
 journal = {応用物理},
 month = {Nov},
 note = {Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)のスケーリング則は，デバイス性能の向上に加えて，ゲートドライブ電圧の低減により集積回路と一体化することを可能とする．我々は量産性に優れたシリコンテクノロジーと独自のスケーリングIGBTの概念をベースに，Internet of Things (IoT)や人工知能(AI)を駆使してパワーデバイス制御を自動最適化するパワーエレクトロニクスの新パラダイム構築を目指している．本稿ではその基本コンセプトと研究の一部を紹介する．},
 pages = {956--961},
 title = {スケーリングIGBTが拓くパワーエレクトロニクスの新しいパラダイム},
 volume = {86},
 year = {2017},
 yomi = {オオムラ, イチロウ}
}