WEKO3
アイテム
SiC上グラフェン生成と第一原理計算による界面構造の研究
https://doi.org/10.18997/00006537
https://doi.org/10.18997/00006537cfda1d87-a359-483c-acb1-e651b1e16879
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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sei_k_297.pdf (6.7 MB)
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| アイテムタイプ | 学位論文 = Thesis or Dissertation(1) | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2018-01-29 | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_db06 | |||||||||
| 資源タイプ | doctoral thesis | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | SiC上グラフェン生成と第一原理計算による界面構造の研究 | |||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 言語 | ||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||
| 著者 |
石井, 純子
× 石井, 純子
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| 目次 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | TableOfContents | |||||||||
| 内容記述 | 1. 序論||2. SiC上エピタキシャルグラフェンの評価方法||3. SiC表面とグラフェン/SiC界面の電子構造||4. イオンビームを照射した3C-SiC（111） 薄膜へのグラフェン成長||5. 総括 | |||||||||
| 備考 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | 九州工業大学博士学位論文 学位記番号：生工博甲第297号 学位授与年月日：平成29年9月22日 | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | グラフェン | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | シリコンカーバイド | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | イオンビーム照射 | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | 第一原理計算 | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | 表面・界面構造 | |||||||||
| アドバイザー | ||||||||||
| 花本, 剛士 | ||||||||||
| 学位授与番号 | ||||||||||
| 学位授与番号 | 甲第297号 | |||||||||
| 学位名 | ||||||||||
| 学位名 | 博士（工学） | |||||||||
| 学位授与年月日 | ||||||||||
| 学位授与年月日 | 2017-09-22 | |||||||||
| 学位授与機関 | ||||||||||
| 学位授与機関識別子Scheme | kakenhi | |||||||||
| 学位授与機関識別子 | 17104 | |||||||||
| 学位授与機関名 | 九州工業大学 | |||||||||
| 学位授与年度 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | 平成29年度 | |||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||
| アクセス権 | ||||||||||
| アクセス権 | open access | |||||||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||||||
| ID登録 | ||||||||||
| ID登録 | 10.18997/00006537 | |||||||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||||||
