WEKO3
アイテム
Failure rate calculation method for high power devices in space applications at low earth orbit
http://hdl.handle.net/10228/00006907
http://hdl.handle.net/10228/00006907a5f2d2e6-b9eb-4148-966e-2b8911492d83
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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| アイテムタイプ | 学術雑誌論文 = Journal Article(1) | |||||||||||||
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| 公開日 | 2018-09-18 | |||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||
| タイトル | Failure rate calculation method for high power devices in space applications at low earth orbit | |||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||
| 著者 |
Dashdondog, Erdenebaatar
× Dashdondog, Erdenebaatar× Harada, Shohei× Shiba, Yuji× 大村, 一郎
WEKO
16176
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| 抄録 | ||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||
| 内容記述 | This paper discusses the universal calculation method for space proton induced failure rate on high power device. High energetic particles can be the reason of power device failure in both terrestrial and space. T-CAD simulation result gives a threshold charge value for the device destruction which is triggered by energetic proton from space. The amount of threshold charge depends on applied voltage for high power device. The probability of charge generation in silicon due to proton penetration is considered as well. This probability function variation depends on the thickness of device and incident energy of proton which studied before at there. Last consideration on this paper is 3.3 kV PiN diode's Single Event Upset Cross section and failure rate which was calculated by proposed method in Low earth orbit environment condition. | |||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 書誌情報 |
en : Microelectronics Reliability 巻 64, p. 502-506, 発行日 2016-09-18 |
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| 出版社 | ||||||||||||||
| 出版者 | Elsevier | |||||||||||||
| DOI | ||||||||||||||
| 関連タイプ | isVersionOf | |||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||||
| 関連識別子 | https://doi.org/10.1016/j.microrel.2016.07.114 | |||||||||||||
| CRID | ||||||||||||||
| 関連タイプ | isVersionOf | |||||||||||||
| 識別子タイプ | URI | |||||||||||||
| 関連識別子 | https://cir.nii.ac.jp/crid/1050282813913290880 | |||||||||||||
| NCID | ||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||
| 収録物識別子 | AA00738419 | |||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | EISSN | |||||||||||||
| 収録物識別子 | 1872-941X | |||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | PISSN | |||||||||||||
| 収録物識別子 | 0026-2714 | |||||||||||||
| 著作権関連情報 | ||||||||||||||
| 権利情報 | Copyright (c) 2016 Elsevier Ltd. | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | High power device | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Reliability of power device | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Proton induced failure | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | High power device space application | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Failure rate of power device | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||
| 出版タイプ | AM | |||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa | |||||||||||||
| 査読の有無 | ||||||||||||||
| 値 | yes | |||||||||||||
| 連携ID | ||||||||||||||
| 値 | 6101 | |||||||||||||