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  1. 学会・会議発表論文
  2. 学会・会議発表論文

Impact of the semiconductor on hexagonal-BN structure for power-supply on chip applications

http://hdl.handle.net/10228/00007015
http://hdl.handle.net/10228/00007015
b1aa77cd-05e5-4f9f-8e98-a022e994f5dd
名前 / ファイル ライセンス アクション
nperc125.pdf nperc125.pdf (210.3 kB)
Item type 会議発表論文 = Conference Paper(1)
公開日 2019-02-15
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_5794
資源タイプ conference paper
タイトル
タイトル Impact of the semiconductor on hexagonal-BN structure for power-supply on chip applications
言語 en
言語
言語 eng
著者 Sato, Yoshiki

× Sato, Yoshiki

WEKO 23658

en Sato, Yoshiki

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Ono, Kota

× Ono, Kota

WEKO 23659

en Ono, Kota

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Nomura, Masanari

× Nomura, Masanari

WEKO 23660

en Nomura, Masanari

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松本, 聡

× 松本, 聡

WEKO 27142
e-Rad_Researcher 10577282
Scopus著者ID 57194100450

ja 松本, 聡

en Matsumoto, Satoshi

ja-Kana マツモト, サトシ

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Hasegawa, Masataka

× Hasegawa, Masataka

WEKO 23662

en Hasegawa, Masataka

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 This paper evaluates the semiconductor on hexagonal-BN (h-BN) structure for power-supply on chip applications based on numerical simulations. Hexagonal-BN is used as an insulator of semiconductor -on-insulator (SOI) structure. Hexagonal-BN based SOI structure with through-silicon-via(TSV) shows higher heat dissipation performance without degrading electrical characteristics compared with the conventional SOI structure.
備考
内容記述タイプ Other
内容記述 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2018), September9-13, 2018, Hongo Campus, The University of Tokyo, Tokyo, Japan
書誌情報 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018)

発行日 2018-09-13
出版社
出版社 応用物理学会
著作権関連情報
権利情報 ©2018 The Japan Society of Applied Physics
出版タイプ
出版タイプ AM
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa
査読の有無
値 yes
連携ID
値 7546
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Ver.1 2023-05-15 14:18:04.710725
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