WEKO3
アイテム
Impact of the semiconductor on hexagonal-BN structure for power-supply on chip applications
http://hdl.handle.net/10228/00007015
http://hdl.handle.net/10228/00007015b1aa77cd-05e5-4f9f-8e98-a022e994f5dd
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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| Item type | 会議発表論文 = Conference Paper(1) | |||||||||||
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| 公開日 | 2019-02-15 | |||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_5794 | |||||||||||
| 資源タイプ | conference paper | |||||||||||
| タイトル | ||||||||||||
| タイトル | Impact of the semiconductor on hexagonal-BN structure for power-supply on chip applications | |||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| 言語 | ||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||
| 著者 |
Sato, Yoshiki
× Sato, Yoshiki× Ono, Kota× Nomura, Masanari× 松本, 聡
WEKO
27142
× Hasegawa, Masataka |
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| 抄録 | ||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||
| 内容記述 | This paper evaluates the semiconductor on hexagonal-BN (h-BN) structure for power-supply on chip applications based on numerical simulations. Hexagonal-BN is used as an insulator of semiconductor -on-insulator (SOI) structure. Hexagonal-BN based SOI structure with through-silicon-via(TSV) shows higher heat dissipation performance without degrading electrical characteristics compared with the conventional SOI structure. | |||||||||||
| 備考 | ||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||
| 内容記述 | 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2018), September9-13, 2018, Hongo Campus, The University of Tokyo, Tokyo, Japan | |||||||||||
| 書誌情報 |
2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018) 発行日 2018-09-13 |
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| 出版社 | ||||||||||||
| 出版社 | 応用物理学会 | |||||||||||
| 著作権関連情報 | ||||||||||||
| 権利情報 | ©2018 The Japan Society of Applied Physics | |||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||
| 出版タイプ | AM | |||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa | |||||||||||
| 査読の有無 | ||||||||||||
| 値 | yes | |||||||||||
| 連携ID | ||||||||||||
| 値 | 7546 | |||||||||||