WEKO3
アイテム
Self-Turn-on-Free 5V Gate Driving for 1200V Scaled IGBT
http://hdl.handle.net/10228/00007305
http://hdl.handle.net/10228/00007305251a14c0-0e9a-4b2c-9a7c-070a0468e736
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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nperc126.pdf (555.7 kB)
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| アイテムタイプ | 会議発表論文 = Conference Paper(1) | |||||||||||||||||
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| 公開日 | 2019-08-01 | |||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_5794 | |||||||||||||||||
| 資源タイプ | conference paper | |||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||
| タイトル | Self-Turn-on-Free 5V Gate Driving for 1200V Scaled IGBT | |||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||||||
| 著者 |
Tsukuda, Masanori
× Tsukuda, Masanori× Sudo, Masaki× 長谷川, 一徳
WEKO
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× 安部, 征哉× Saraya, Takuya× Takakura, Toshihiko× Fukui, Munetoshi× Itou, Kazuo× Suzuki, Shinichi× Takeuchi, Kiyoshi× Ninomiya, Tamotsu× Hiramoto, Toshiro× 大村, 一郎
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16176
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| 抄録 | ||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||||||
| 内容記述 | Negative biasing of the gate voltage in a scaled insulated gate bipolar transistor (IGBT) during the off-state was modeled and found to be effective against self-turn-on failures. The required self-turn-on-free criteria were verified experimentally. | |||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||
| 備考 | ||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||||
| 内容記述 | 31st IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD 2019), 19-23 May 2019, Shanghai, China | |||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||
| 書誌情報 |
en : 2019 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 発行日 2019-05-22 |
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| 出版社 | ||||||||||||||||||
| 出版社 | IEEE | |||||||||||||||||
| DOI | ||||||||||||||||||
| 関連タイプ | isVersionOf | |||||||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||||||||
| 関連識別子 | https://doi.org/10.1109/ISPSD.2019.8757665 | |||||||||||||||||
| ISBN | ||||||||||||||||||
| 識別子タイプ | ISBN | |||||||||||||||||
| 関連識別子 | 978-1-7281-0579-6 | |||||||||||||||||
| ISBN | ||||||||||||||||||
| 識別子タイプ | ISBN | |||||||||||||||||
| 関連識別子 | 978-1-7281-0580-2 | |||||||||||||||||
| ISBN | ||||||||||||||||||
| 識別子タイプ | ISBN | |||||||||||||||||
| 関連識別子 | 978-1-7281-0581-9 | |||||||||||||||||
| ISBN | ||||||||||||||||||
| 識別子タイプ | ISBN | |||||||||||||||||
| 関連識別子 | 978-1-7281-0582-6 | |||||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | EISSN | |||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 1946-0201 | |||||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | PISSN | |||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 1063-6854 | |||||||||||||||||
| 著作権関連情報 | ||||||||||||||||||
| 権利情報 | Copyright (c) 2019 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including reprinting/republishing this material for advertising or promotional purposes, creating new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. | |||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||
| 主題 | scaled IGBT | |||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||
| 主題 | self-turn-on | |||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||
| 主題 | gate shielding layer | |||||||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||||||
| 出版タイプ | AM | |||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa | |||||||||||||||||
| 査読の有無 | ||||||||||||||||||
| 値 | yes | |||||||||||||||||
| 連携ID | ||||||||||||||||||
| 値 | 7781 | |||||||||||||||||
