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  1. 学会・会議発表論文
  2. 学会・会議発表論文

A Ratio-Less 10-Transistor Cell and Static Column Retention Loop Structure for Fully Digital SRAM

http://hdl.handle.net/10228/00007544
http://hdl.handle.net/10228/00007544
58aa6543-7495-49d4-9e12-12f46544803f
名前 / ファイル ライセンス アクション
10245958.pdf 10245958.pdf (601.1 kB)
アイテムタイプ 会議発表論文 = Conference Paper(1)
公開日 2020-01-20
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_5794
資源タイプ conference paper
タイトル
タイトル A Ratio-Less 10-Transistor Cell and Static Column Retention Loop Structure for Fully Digital SRAM
言語 en
言語
言語 eng
著者 Saito, Takahiko

× Saito, Takahiko

WEKO 26264

en Saito, Takahiko
Saito, T.

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Okamura, Hitoshi

× Okamura, Hitoshi

WEKO 26265

en Okamura, Hitoshi
Okamura, H.

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Yamamoto, Hiromasa

× Yamamoto, Hiromasa

WEKO 26266

en Yamamoto, Hiromasa
Yamamoto, M.

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中村, 和之

× 中村, 和之

WEKO 26231
e-Rad 60336097
Scopus著者ID 55624478963
九工大研究者情報 381

en Nakamura, Kazuyuki

ja 中村, 和之

ja-Kana ナカムラ, カズユキ

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 In this paper, a new memory cell along with a new peripheral circuit for SRAM in ultra fine advanced process technologies is presented. A unique feature of the proposed circuit technique is its circuit design concept to achieve the fully digital ratio-less operation. This enables memory cell design that is free from consideration of the Static Noise Margin (SNM). Furthermore, it enables SRAM function without the restriction of transistor parameter (W/L) settings in circuit design and the dependency on local process variation. To achieve these unique features, we propose (1) a ratio-less memory cell in which the flip/flop loop can be broken in write operation and a push-pull tri-state buffer for secure read operation and (2) the configuration of a static Column Retention Loop (CRL) to prevent loss of memory cell data in the write half-select state. Combining these two key circuit techniques, a new SRAM circuit that is free from design restriction of SNM was developed. A 0.18-μm 1024-bit MOSAIC SRAM TEG consisting of memory cells having all combinations of gate sizes of 10 transistors differing by two orders of magnitude was developed and tested to verify the proposed circuits.
言語 en
備考
内容記述タイプ Other
内容記述 4th IEEE International Memory Workshop (IMW 2012), 20-23 May 2012, Milan, Italy
書誌情報 en : 2012 4th IEEE International Memory Workshop

発行日 2012-06-11
出版社
出版社 IEEE
DOI
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ DOI
関連識別子 https://doi.org/10.1109/IMW.2012.6213677
ISBN
識別子タイプ ISBN
関連識別子 978-1-4673-1081-9
ISBN
識別子タイプ ISBN
関連識別子 978-1-4673-1079-6
ISSN
収録物識別子タイプ EISSN
収録物識別子 2159-4864
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 2159-483X
著作権関連情報
権利情報 Copyright (c) 2012 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including reprinting/republishing this material for advertising or promotional purposes, creating new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works.
キーワード
主題Scheme Other
主題 Random access memory
キーワード
主題Scheme Other
主題 Transistors
キーワード
主題Scheme Other
主題 Wireless sensor networks
キーワード
主題Scheme Other
主題 Inverters
キーワード
主題Scheme Other
主題 Logic gates
キーワード
主題Scheme Other
主題 Registers
キーワード
主題Scheme Other
主題 CMOS integrated circuits
出版タイプ
出版タイプ AM
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa
査読の有無
値 yes
研究者情報
URL https://hyokadb02.jimu.kyutech.ac.jp/html/381_ja.html
論文ID(連携)
値 10245958
連携ID
値 8051
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Ver.1 2023-05-15 14:07:07.422101
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