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  1. 学術雑誌論文
  2. 5 技術(工学)

An Optimal Design Method for Complementary Metal Oxide Semiconductor Even-Stage Ring Oscillators Containing Latches

http://hdl.handle.net/10228/00007567
http://hdl.handle.net/10228/00007567
c7870e8d-6c05-45d5-8fc2-837269874f93
名前 / ファイル ライセンス アクション
10229116.pdf 10229116.pdf (245.5 kB)
アイテムタイプ 学術雑誌論文 = Journal Article(1)
公開日 2020-01-27
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
タイトル
タイトル An Optimal Design Method for Complementary Metal Oxide Semiconductor Even-Stage Ring Oscillators Containing Latches
言語 en
その他のタイトル
その他のタイトル An Optimal Design Method for CMOS Even-Stage Ring Oscillators Containing Latches
言語 en
言語
言語 eng
著者 Kohara, Yusuke

× Kohara, Yusuke

WEKO 26455

en Kohara, Yusuke
Kohara, Y.

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Asano, Masaharu

× Asano, Masaharu

WEKO 26456

en Asano, Masaharu
Asano, M.

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Kawakami, Yoshihiro

× Kawakami, Yoshihiro

WEKO 26457

en Kawakami, Yoshihiro
Kawakami, Y.

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Uchida, Yasuhisa

× Uchida, Yasuhisa

WEKO 26458

en Uchida, Yasuhisa
Uchida, Y.

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Koike, Hiroki

× Koike, Hiroki

WEKO 26459

en Koike, Hiroki
Koike, H.

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中村, 和之

× 中村, 和之

WEKO 26231
e-Rad 60336097
Scopus著者ID 55624478963
九工大研究者情報 381

en Nakamura, Kazuyuki

ja 中村, 和之

ja-Kana ナカムラ, カズユキ


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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 This paper describes a design method for complementary metal oxide semiconductor (CMOS) ring oscillators composed of even-stage inverters. First, we propose a quantitative method to evaluate oscillation stability for an even-stage ring oscillator with a CMOS latch. The method uses static noise margin analysis to evaluate the static random access memory (SRAM) cell's data storage stability, by observing the similarity between the oscillator and SRAM cell circuitry. Next, the method is extended to oscillators with multiple latches. Finally, by analyzing oscillation stability using this method, we find that the range of stable oscillation conditions can be drastically widened by adding multiple single-channel latch circuits, and also by an appropriate design of their polarities and insertion positions. We also clarify through Monte Carlo simulations, that the optimized oscillator circuit is robust under process, voltage and temperature fluctuations and device characteristic variations.
言語 en
書誌情報 en : Japanese Journal of Applied Physics

巻 49, 号 4S, p. 04DE15-1-04DE15-6, 発行日 2010-04-20
出版社
出版者 応用物理学会
言語 ja
DOI
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ DOI
関連識別子 https://doi.org/10.1143/JJAP.49.04DE15
CRID
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ URI
関連識別子 https://cir.nii.ac.jp/crid/1050565163713413760
日本十進分類法
主題Scheme NDC
主題 549
NCID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA12295836
ISSN
収録物識別子タイプ EISSN
収録物識別子 1347-4065
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 0021-4922
著作権関連情報
権利情報 Copyright (c) 2010 The Japan Society of Applied Physics
出版タイプ
出版タイプ AM
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa
査読の有無
値 yes
研究者情報
URL https://hyokadb02.jimu.kyutech.ac.jp/html/381_ja.html
論文ID(連携)
値 10229116
連携ID
値 8073
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Ver.1 2023-05-15 14:06:32.428609
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