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  1. 学術雑誌論文
  2. 5 技術(工学)

MOSゲート型パワー半導体におけるセルフターンオン現象の解析とモデル化

http://hdl.handle.net/10228/00008095
http://hdl.handle.net/10228/00008095
b9ee09e2-c074-40a1-a6a9-a9a51b59ad47
名前 / ファイル ライセンス アクション
nperc167.pdf nperc167.pdf (896.0 kB)
アイテムタイプ 学術雑誌論文 = Journal Article(1)
公開日 2021-03-23
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
タイトル
タイトル MOSゲート型パワー半導体におけるセルフターンオン現象の解析とモデル化
言語 ja
タイトル
タイトル Analysis and modeling of self-turn-on phenomenon of MOS gate type power semiconductors
言語 en
言語
言語 jpn
著者 西尾, 貴植

× 西尾, 貴植

WEKO 29533

ja 西尾, 貴植

en Nishio, Takanao

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大村, 一郎

× 大村, 一郎

WEKO 16176
e-Rad 10510670
Scopus著者ID 7003814580
九工大研究者情報 69

en Omura, Ichiro

ja 大村, 一郎

ja-Kana オオムラ, イチロウ


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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 パワー半導体を用いたスイッチング電源やモータドライブなどの高速スイッチング回路では、急峻に立ち上がる電圧によるセルフターンオン現象が損失増大や故障の原因になっている。本研究では、従来の原因から視点を変え、スイッチング時の主回路電流によってゲート寄生インダクタンスに発生した電圧がセルフターンオンを引き起こすと仮定し、TCADシミュレーションで解析した。さらにセルフターンオンを防止する回路設計指針を示した。
言語 ja
備考
内容記述タイプ Other
内容記述 電子通信エネルギー技術研究会(EE), 2021年1月25日, オンライン開催
書誌情報 ja : 電子情報通信学会技術研究報告. EE, 電子通信エネルギー技術

巻 120, 号 340, p. 43-46, 発行日 2021-01-18
出版社
出版者 電子情報通信学会
言語 ja
URI
関連タイプ isIdenticalTo
識別子タイプ URI
関連識別子 https://cir.nii.ac.jp/crid/1050287525728172160
日本十進分類法
主題Scheme NDC
主題 549
NCID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA11135980
ISSN
収録物識別子タイプ EISSN
収録物識別子 2432-6380
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 0913-5685
著作権関連情報
権利情報 Copyright(C)2021 IEICE
キーワード
主題Scheme Other
主題 セルフターンオン
キーワード
主題Scheme Other
主題 誤点弧
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
査読の有無
値 yes
連携ID
値 8624
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Ver.1 2023-05-15 13:25:07.105817
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