WEKO3
アイテム
Comparisons of instability in device characteristics at high temperature for thin-film SOI power n- and p- channel MOSFETs
http://hdl.handle.net/10228/00008097
http://hdl.handle.net/10228/00008097d3a2cc14-8e55-4872-87f1-b7a11efc2a53
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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nperc170.pdf (996.0 kB)
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| アイテムタイプ | 学術雑誌論文 = Journal Article(1) | |||||||||||||
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| 公開日 | 2021-03-23 | |||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||
| タイトル | Comparisons of instability in device characteristics at high temperature for thin-film SOI power n- and p- channel MOSFETs | |||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||
| 著者 |
Kaneda, Masanobu
× Kaneda, Masanobu× Ariyoshi, Kazuma× 松本, 聡
WEKO
27142
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| 抄録 | ||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||
| 内容記述 | This paper investigate instability in device characteristics related to the hot carrier effect, Negative Bias Temperature Instability (NBTI) and Positive Bias Temperature (PBTI) under DC stress for n- and p-channel thin-film Silicon on Insulator (SOI) power MOSFET at high temperature. The threshold voltage shift increases as the temperature rises due to PBTI for n-MOSFET and NBTI for p-MOSFET. Drain Avalanche Hot Carrier (DAHC) occurs when the gate stress voltage is near the threshold voltage and Channel Hot Carrier (CHC) occurs when the gate voltage is high. The threshold voltage shift and the degradation rate of on-resistance of the n-MOSFET is larger than that of the p-MOSFET due to the difference in the impact ionization coefficient between electrons and holes. | |||||||||||||
| 備考 | ||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||
| 内容記述 | 2020 IEEE Region 10 Conference (TENCON), 16-19 November, 2020, Osaka, Japan（新型コロナ感染拡大に伴い、オンライン開催に変更） | |||||||||||||
| 書誌情報 |
2020 IEEE REGION 10 CONFERENCE (TENCON) 発行日 2020-12-22 |
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| 出版社 | ||||||||||||||
| 出版者 | IEEE | |||||||||||||
| DOI | ||||||||||||||
| 関連タイプ | isVersionOf | |||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||||
| 関連識別子 | https://doi.org/10.1109/TENCON50793.2020.9293695 | |||||||||||||
| ISBN | ||||||||||||||
| 識別子タイプ | ISBN | |||||||||||||
| 関連識別子 | 978-1-7281-8455-5 | |||||||||||||
| ISBN | ||||||||||||||
| 識別子タイプ | ISBN | |||||||||||||
| 関連識別子 | 978-1-7281-8456-2 | |||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | EISSN | |||||||||||||
| 収録物識別子 | 2159-3450 | |||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | PISSN | |||||||||||||
| 収録物識別子 | 2159-3442 | |||||||||||||
| 著作権関連情報 | ||||||||||||||
| 権利情報 | Copyright (c) 2020 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including reprinting/republishing this material for advertising or promotional purposes, creating new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Hot carrier effect | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Negative bias temperature instability | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Positive bias temperature instability | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Thin-film SOI power MOSFET | |||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||
| 出版タイプ | AM | |||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa | |||||||||||||
| 査読の有無 | ||||||||||||||
| 値 | yes | |||||||||||||
| 連携ID | ||||||||||||||
| 値 | 8626 | |||||||||||||
