WEKO3
アイテム
0.5μm CMOS/SOIを用いた高周波ゲートドライバーのシミュレーションによる検討
http://hdl.handle.net/10228/00008127
http://hdl.handle.net/10228/0000812709b2aac2-6e04-4919-ab62-29a8368ea64e
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
nperc176.pdf (1.0 MB)
|
|
| アイテムタイプ | 学術雑誌論文 = Journal Article(1) | |||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2021-03-31 | |||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||
| タイトル | 0.5μm CMOS/SOIを用いた高周波ゲートドライバーのシミュレーションによる検討 | |||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||
| タイトル | Numerical investigation of the high frequency gate driver using 0.5μm CMOS/SOI | |||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||
| 著者 |
大谷, 圭佑
× 大谷, 圭佑× 中山, 未菜美× 有吉, 和麻× 松本, 聡
WEKO
27142
|
|||||||||||||
| 抄録 | ||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||
| 内容記述 | 近年、電子機器・通信機器の小型化・高性能化に伴い、電源の小型化が要求されている。電源の小型化としてスイッチング周波数の高周波化が効果的である。GaNパワーデバイスは高周波において高効率であり、高温動作においても優れている。また、薄層SOIはリーク電流を減らし、ラッチアップを抑制することができるため、高温動作に適している。本論文では薄層SOIパワーMOFETをモデル化し、SOIを用いたGaNパワーデバイス用高周波ゲートドライバーのシミュレーションを行った結果を報告する。 | |||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||
| 抄録 | ||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||
| 内容記述 | In recent years, with the miniaturization and high performance of electronic devices and communication devices, miniaturization of power sources has been required. Increasing the switching frequency is effective as a miniaturization of the power supply. GaN power devices are highly efficient at high frequencies and are also excellent at high temperatures. In addition, thin-layer SOI is suitable for high-temperature operation because it can reduce leakage current and suppress latch-up. In this paper, we model a thin-layer SOI power MOFET and report the results of simulating a high-frequency gate driver for GaN power devices using SOI. | |||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 備考 | ||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||
| 内容記述 | 電子通信エネルギー技術研究会（EE）, 2021年3月1日-2日, オンライン開催 | |||||||||||||
| 書誌情報 |
ja : 電子情報通信学会技術研究報告. EE, 電子通信エネルギー技術 巻 120, 号 387, p. 39-43, 発行日 2021-02-22 |
|||||||||||||
| 出版社 | ||||||||||||||
| 出版者 | 電子情報通信学会 | |||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||
| CRID | ||||||||||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||||||||||
| 識別子タイプ | URI | |||||||||||||
| 関連識別子 | https://cir.nii.ac.jp/crid/1050850545626835200 | |||||||||||||
| 日本十進分類法 | ||||||||||||||
| 主題Scheme | NDC | |||||||||||||
| 主題 | 549 | |||||||||||||
| NCID | ||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||
| 収録物識別子 | AA11135980 | |||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | EISSN | |||||||||||||
| 収録物識別子 | 2432-6380 | |||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | PISSN | |||||||||||||
| 収録物識別子 | 0913-5685 | |||||||||||||
| 著作権関連情報 | ||||||||||||||
| 権利情報 | Copyright (c) 2021by IEICE | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | GaN | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | ゲートドライバ | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | SOI | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | gate driver IC | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | thin film SOI | |||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||
| 査読の有無 | ||||||||||||||
| 値 | yes | |||||||||||||
| 連携ID | ||||||||||||||
| 値 | 8653 | |||||||||||||
