WEKO3
アイテム
Development of the h-BN manufacturing process for3D-LSI
http://hdl.handle.net/10228/00008801
http://hdl.handle.net/10228/000088013abed3e6-724a-4c77-a531-a80e23f3279e
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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nperc192.pdf (2.0 MB)
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| アイテムタイプ | 学術雑誌論文 = Journal Article(1) | |||||||||||||||||||||
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| 公開日 | 2022-04-14 | |||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||
| タイトル | Development of the h-BN manufacturing process for3D-LSI | |||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||||||||||
| 著者 |
Yokoi, Masashi
× Yokoi, Masashi× 新海, 聡子
WEKO
32873
× 松本, 聡
WEKO
27142
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| 抄録 | ||||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||||||||||
| 内容記述 | Hexagonal-BN (h-BN) based SOI structure with through silicon via (TSV) shows higher heat dissipation performance without degrading electrical characteristics compared with the conventional SOI structure. This paper evaluates the manufacturing process for 3D-LSI concluding h-BN. Hexagonal-BN etched by F2+ He shows useful top shapes of TSV for the 3D-LSI. | |||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||
| 備考 | ||||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||||||||
| 内容記述 | 10th IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ2021), November 10-12, 2021, Kyoto University (A Hybrid Event of On-site and Virtual Meetings) | |||||||||||||||||||||
| 書誌情報 |
en : 2021 IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ) p. 120-121, 発行日 2021-12-24 |
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| 出版社 | ||||||||||||||||||||||
| 出版者 | IEEE | |||||||||||||||||||||
| DOI | ||||||||||||||||||||||
| 関連タイプ | isVersionOf | |||||||||||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||||||||||||
| 関連識別子 | https://doi.org/10.1109/ICSJ52620.2021.9648854 | |||||||||||||||||||||
| 日本十進分類法 | ||||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | NDC | |||||||||||||||||||||
| 主題 | 549 | |||||||||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | EISSN | |||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 2475-8418 | |||||||||||||||||||||
| 著作権関連情報 | ||||||||||||||||||||||
| 権利情報 | Copyright (c) 2021 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including reprinting/republishing this material for advertising or promotional purposes, creating new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. | |||||||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||||||
| 主題 | Hexagonal-BN (h-BN) | |||||||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||||||
| 主題 | through silicon via (TSV) | |||||||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||||||
| 主題 | dry etching technology | |||||||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||||||
| 主題 | F2+He gas | |||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | AM | |||||||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa | |||||||||||||||||||||
| 査読の有無 | ||||||||||||||||||||||
| 値 | yes | |||||||||||||||||||||
| 連携ID | ||||||||||||||||||||||
| 値 | 10335 | |||||||||||||||||||||
