WEKO3
アイテム
Study of parasitic oscillation of a multi-chip SiC MOSFET circuit based on a signal flow graph model by TCAD simulation
http://hdl.handle.net/10228/00008974
http://hdl.handle.net/10228/0000897423f949ff-34fa-4502-a46d-f2908d668be9
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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nperc159.pdf (2.3 MB)
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| アイテムタイプ | 学術雑誌論文 = Journal Article(1) | |||||||||||||||||||||
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| 公開日 | 2022-09-08 | |||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||
| タイトル | Study of parasitic oscillation of a multi-chip SiC MOSFET circuit based on a signal flow graph model by TCAD simulation | |||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||||||||||
| 著者 |
河野, 洋志
× 河野, 洋志
WEKO
33847
× 大村, 一郎
WEKO
16176
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| 抄録 | ||||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||||||||||
| 内容記述 | This study presents a novel method to evaluate oscillation condition by technology computer-aided design (TCAD) simulation and is based on a signal flow graph model and a scattering parameter (S-parameter) computed using the TCAD simulation result. The parasitic oscillation of Silicon carbide (SiC) metal–oxide–semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) when a short circuit occurs has been investigated with the proposed method. The oscillation conditions of a circuit were computed with this technique and compared with those computed by TCAD transient simulation. The gate resistance to suppress oscillation is similar between these methods. Moreover, the method was also applied to estimate the stability of a circuit consisting of parallelly connected SiC MOSFETs. Two oscillation modes were taken into account. We demonstrated that the circuit parameters required to suppress parasitic oscillation can be computed using a simple calculation. | |||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||
| 書誌情報 |
Solid-State Electronics 巻 177, p. 107884-1-107884-12, 発行日 2020-09-08 |
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| 出版社 | ||||||||||||||||||||||
| 出版者 | Elsevier | |||||||||||||||||||||
| DOI | ||||||||||||||||||||||
| 関連タイプ | isVersionOf | |||||||||||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||||||||||||
| 関連識別子 | https://doi.org/10.1016/j.sse.2020.107884 | |||||||||||||||||||||
| 日本十進分類法 | ||||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | NDC | |||||||||||||||||||||
| 主題 | 549 | |||||||||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | PISSN | |||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 0038-1101 | |||||||||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | EISSN | |||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 1879-2405 | |||||||||||||||||||||
| 著作権関連情報 | ||||||||||||||||||||||
| 権利情報 | Copyright (c) 2020 Elsevier Ltd. All rights reserved. | |||||||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||||||
| 主題 | SiC MOSFET | |||||||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||||||
| 主題 | TCAD simulation | |||||||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||||||
| 主題 | Scattering parameter | |||||||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||||||
| 主題 | Multi-chip circuit | |||||||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||||||
| 主題 | Oscillation | |||||||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||||||
| 主題 | Short circuit | |||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | AM | |||||||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa | |||||||||||||||||||||
| 査読の有無 | ||||||||||||||||||||||
| 値 | yes | |||||||||||||||||||||
| 連携ID | ||||||||||||||||||||||
| 値 | 9020 | |||||||||||||||||||||
