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  1. 学術雑誌論文
  2. 5 技術(工学)

Parasitic oscillation analysis of trench IGBT during short-circuit type II using TCAD-based signal flow graph model

http://hdl.handle.net/10228/00009035
http://hdl.handle.net/10228/00009035
d595b443-1b61-495f-add1-1ea7ab62c3ba
名前 / ファイル ライセンス アクション
nperc210.pdf nperc210.pdf (5.4 MB)
アイテムタイプ 学術雑誌論文 = Journal Article(1)
公開日 2022-12-14
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
タイトル
タイトル Parasitic oscillation analysis of trench IGBT during short-circuit type II using TCAD-based signal flow graph model
言語 en
言語
言語 eng
著者 河野, 洋志

× 河野, 洋志

WEKO 33847
Scopus著者ID 36245015500
ORCiD 0000-0002-4692-5450
九工大研究者情報 100001944

ja 河野, 洋志

en Kono, Hiroshi


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大村, 一郎

× 大村, 一郎

WEKO 16176
e-Rad_Researcher 10510670
Scopus著者ID 7003814580
九工大研究者情報 69

en Omura, Ichiro

ja 大村, 一郎

ja-Kana オオムラ, イチロウ


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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 The oscillation phenomenon of trench-type insulated gate bipolar transistors during short-circuit (SC) type II was investigated experimentally and theoretically. The gate resistance required to suppress oscillations decreased with an increasing collector voltage. The oscillation conditions were calculated from the signal flow graph model using the S -parameter based on a technology computer-aided design simulation. The calculation results reproduced the locus of the collector voltage dependence of the experimentally measured gate resistance. The oscillation mechanism was investigated using the device simulation. The response of carrier density modulation at the base-drift layer boundary was found to transmit to the collector side through the electron–hole plasma region during the oscillation, indicating that the transfer characteristics of the carrier density modulation in the drift region at the specific collector voltage influence the collector voltage dependence of the SC oscillation. The influence of circuit parameters on the oscillation was also investigated. An increase in the emitter inductance suppressed the oscillations, whereas an increase in gate inductance increases oscillations.
言語 en
書誌情報 en : IEEE Transactions on Electron Devices

巻 69, 号 10, p. 5705-5712, 発行日 2022-09-14
出版社
出版者 IEEE
DOI
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ DOI
関連識別子 https://doi.org/10.1109/TED.2022.3202883
日本十進分類法
主題Scheme NDC
主題 549
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 0018-9383
ISSN
収録物識別子タイプ EISSN
収録物識別子 1557-9646
著作権関連情報
権利情報 Copyright (c) 2022 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including reprinting/republishing this material for advertising or promotional purposes, creating new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works.
キーワード
主題Scheme Other
主題 IGBT
キーワード
主題Scheme Other
主題 oscillation
キーワード
主題Scheme Other
主題 S-parameter
キーワード
主題Scheme Other
主題 short-circuit (SC)
キーワード
主題Scheme Other
主題 signal flow graph
キーワード
主題Scheme Other
主題 TCAD
出版タイプ
出版タイプ AM
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa
査読の有無
値 yes
連携ID
値 10994
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Ver.1 2023-05-15 12:40:07.304789
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