@article{oai:kyutech.repo.nii.ac.jp:00007940,
 author = {大串, 悠介 and Ogushi, Yusuke and Matsumoto, Satoshi and 松本, 聡},
 issue = {299},
 journal = {電子情報通信学会技術研究報告. EE, 電子通信エネルギー技術},
 month = {Dec},
 note = {近年、電源の小型化に対して、高周波で高効率動作が実現できるGaNパワーデバイスが注目を集めている。本研究室では高周波で高効率動作するGaNパワーデバイスを駆動・制御する回路、受動部品を１チップに積層した3D power SoCの実現を目指している。先行研究で提案されたGaN用ゲートドライバーICではダイオードや受動部品が用いられており、1チップ化が困難である。そのため、電源の小型化を実現するためにはゲートドライバーICの1チップ化が重要課題となる。本研究では、ゲートドライバーICの1チップ化および高機能化を検討した結果について報告する。, GaN power devices have caught the attentions for high frequency switching and high efficiency of power supply. Our goal is to realize 3D power-SoC, which stacks driver circuit and control circuit for GaN power devices, and passive devices on one chip. One of the key issues to realize 3D power SoC is to develop fully integrated driver IC for GaN power devices without using discrete devices such as Schottky barrier diode. In this paper, we report the fully integrated gate driver IC with higher functionality., 電子通信エネルギー技術研究会（EE）, 2022年12月9日, 機械振興会館},
 pages = {18--23},
 title = {ゲートドライバーICの1チップ化・高機能化に向けての検討},
 volume = {122},
 year = {2022},
 yomi = {マツモト, サトシ}
}