WEKO3
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Homojunction Diode of Cuinse2 Thin-Film Fabricated by Nitrogen Implantation
http://hdl.handle.net/10228/1500
http://hdl.handle.net/10228/1500281b158d-71f1-427c-8ba4-625eaf4da139
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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kohiki_14.pdf (107.4 kB)
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| アイテムタイプ | 学術雑誌論文 = Journal Article(1) | |||||
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| 公開日 | 2009-02-20 | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Homojunction Diode of Cuinse2 Thin-Film Fabricated by Nitrogen Implantation | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| 著者 |
Nishitani, M
× Nishitani, M× Negami, T× 古曵, 重美× Terauchi, M× Wada, T× Hirao, T |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | Rectifying homojunction have been fabricated in polycrystalline CuInSe2 thin film. The p-n junction diode was obtained by short annealing in nitrogen atmosphere at 450-degrees-C following the ion implantation of nitrogen with the energy and the dose of 50 keV and 1 x 10(15) cm-2, respectively. The properties of the near surface region in the films implanted have been studied by the Raman scattering spectroscopy. The secondary ion mass spectroscopy depth profile of the nitrogens in the CuInSe2 film and the capacitive-voltage characteristics of the rectifying diode have been measured to characterize the junction properties. The photovoltaic characteristics in AM 1.0, 100 mW/cm2 are shown with the efficiency of 0.35%. | |||||
| 言語 | en | |||||
| 書誌情報 |
en : Journal of Applied Physics 巻 74, 号 3, p. 2067-2070, 発行日 1993-08-01 |
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| 出版社 | ||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||
| 言語 | en | |||||
| DOI | ||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||
| 関連識別子 | https://doi.org/10.1063/1.355296 | |||||
| CRID | ||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||
| 識別子タイプ | URI | |||||
| 関連識別子 | https://cir.nii.ac.jp/crid/1050564288863268224 | |||||
| NCID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AA00693547 | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | EISSN | |||||
| 収録物識別子 | 1089-7550 | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | PISSN | |||||
| 収録物識別子 | 0021-8979 | |||||
| 著作権関連情報 | ||||||
| 権利情報 | Copyright © 1993 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | junction diodes | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | copper selenides | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | indium selenides | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | ternary compounds | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | thin films | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | ion implantation | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | nitrogen ions | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | p&minus | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | N junctions | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | polycrystals | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | raman spectra | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | depth profiles | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | photovoltaic effect | |||||
| 出版タイプ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| 査読の有無 | ||||||
| 値 | yes | |||||
| 業績ID | ||||||
| 値 | 46604CAD152A93D34925756100201B6B | |||||
