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  1. 学術雑誌論文
  2. 4 自然科学

Organic field-effect transistors by a wet-transferring method

http://hdl.handle.net/10228/2323
http://hdl.handle.net/10228/2323
19935a5a-7c43-45d4-86fe-c880ba1eec0b
名前 / ファイル ライセンス アクション
APL_83.6.pdf APL_83.6.pdf (715.3 kB)
Item type 学術雑誌論文 = Journal Article(1)
公開日 2009-03-09
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
タイトル
タイトル Organic field-effect transistors by a wet-transferring method
言語 en
言語
言語 eng
著者 Noh, YongYoung

× Noh, YongYoung

WEKO 5990

en Noh, YongYoung

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Kim, JangJoo

× Kim, JangJoo

WEKO 5991

en Kim, JangJoo

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Yase, Kiyoshi

× Yase, Kiyoshi

WEKO 5992

en Yase, Kiyoshi

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永松, 秀一

× 永松, 秀一

WEKO 1670
e-Rad 70404093
Scopus著者ID 7006445804
ORCiD 0000-0002-9181-1831
九工大研究者情報 217

en Nagamatsu, Shuichi

ja 永松, 秀一

ja-Kana ナガマツ, シュウイチ


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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Organic field-effect transistors (OFETs) were prepared from an epitaxially grown film fabricated by a wet-transferring process. 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-21H,23H-porphyrin platinum(II) was grown by thermal evaporation on the (001) surface of potassium bromide (KBr) single crystals. When the film was grown at room temperature, the planar molecules were aligned orthogonally on the crystal surfaces along the [110] direction with edge-on orientation to the surface normal direction. The epitaxy film was transferred to on SiO2/Si surface immediately after removing the KBr on the water surface to product the OFETs. The calculated mu(FET) of the OFET for the wet-transferred vertically aligned film were 1.3x10(-4) and 2.2x10(-4) cm(2) V-1 s(-1) at the linear and saturation regions, respectively, at V-g=-50 V at an I-ON/I-OFF (on/off ratios of source-drain current) of 10(4)similar to10(5). (C) 2003 American Institute of Physics.
言語 en
書誌情報 en : Applied Physics Letters

巻 83, 号 6, p. 1243-1245, 発行日 2003-08-11
出版社
出版者 American Institute of Physics
言語 en
DOI
関連タイプ isIdenticalTo
識別子タイプ DOI
関連識別子 https://doi.org/10.1063/1.1600518
CRID
関連タイプ isIdenticalTo
識別子タイプ URI
関連識別子 https://cir.nii.ac.jp/crid/1050001338910681600
NCID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00543431
ISSN
収録物識別子タイプ EISSN
収録物識別子 1077-3118
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 0003-6951
著作権関連情報
権利情報 Copyright (c) 2007 American Institute of Physics.This article may be downloaded for personal use only.Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
査読の有無
値 yes
研究者情報
URL https://hyokadb02.jimu.kyutech.ac.jp/html/217_ja.html
連携ID
値 32
業績ID
値 E9861E71CAEFF580492570040034547C
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Ver.1 2023-05-15 14:03:48.785890
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