WEKO3
アイテム
半導体量子構造系におけるキャリアー量子捕獲および離脱機構
http://hdl.handle.net/10228/476
http://hdl.handle.net/10228/47647cad569-8012-4aff-8541-e9bdfcaa8a72
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
16360157seika.pdf (1.0 MB)
|
|
| アイテムタイプ | 研究報告書 = Research Paper(1) | |||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2007-12-06 | |||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_18ws | |||||||||||||
| 資源タイプ | research report | |||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||
| タイトル | 半導体量子構造系におけるキャリアー量子捕獲および離脱機構 | |||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||
| 著者 |
藤原, 賢三
× 藤原, 賢三
|
|||||||||||||
| 抄録 | ||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||
| 内容記述 | ＜はしがき＞この報告書は、平成１６年度から３年間にわたり実施したInGaN量子井戸構造を有する発光ダイオードの発光効率に関する研究をまとめたものである。エレクトロルミネッセンス効率の注入電流と温度依存性、フォトルミネッセンス発光効率の外部バイアスと温度依存性、光励起波長依存性、光励起強度依存性についての結果を総合的にまとめたものである。 | |||||||||||||
| 備考 | ||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||
| 内容記述 | 平成16年度～平成18年度科学研究費補助金（基盤研究（B）） 研究成果報告書 | |||||||||||||
| 書誌情報 |
発行日 2007-06 |
|||||||||||||
| 出版社 | ||||||||||||||
| 出版者 | 九州工業大学 | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | quantum wells | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Ⅲ-nitride semiconductors | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | light-emitting-diodes | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | photoluminessence | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | electroluminescence | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | InGaN | |||||||||||||
| 査読の有無 | ||||||||||||||
| 値 | no | |||||||||||||
| 科研課題番号 | ||||||||||||||
| 値 | 16360157 | |||||||||||||
| 著者所属 | ||||||||||||||
| 値 | 九州工業大学工学部 | |||||||||||||
| 備考 | ||||||||||||||
| 値 | 別刷論文(8-11,13-16,25-28,30-34,36-39,44-47,49-78)削除 / 登録別刷論文(1)Electroluminescence efficiency of blue InGaN/GaN quantum-well diodes with and without an n-InGaN electron reservoir layer. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 100, 113105 (2006) (7pages) © 2006 American Institute of Physics, https://doi.org/10.1063/1.2398690 / 登録別刷論文(2)Hole escape processes detrimental to photoluminescence efficiency in a blue InGaN multiple-quantum-well diode under reverse bias conditions. Appl. Phys. Lett. 90, 161109 (2007) (3pages) © 2007 American Institute of Physics, https://doi.org/10.1063/1.2723683 | |||||||||||||
