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  1. 学術雑誌論文
  2. 5 技術(工学)

Enhanced figure of merit of a porous thin film of bismuth antimony telluride

http://hdl.handle.net/10228/4804
http://hdl.handle.net/10228/4804
64109546-0ef5-4026-8a02-de83f7e0a263
名前 / ファイル ライセンス アクション
ApplPhysLett_98_023114.pdf ApplPhysLett_98_023114.pdf (380.5 kB)
アイテムタイプ 学術雑誌論文 = Journal Article(1)
公開日 2011-01-21
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
タイトル
タイトル Enhanced figure of merit of a porous thin film of bismuth antimony telluride
言語 en
言語
言語 eng
著者 Kashiwagi, Makoto

× Kashiwagi, Makoto

WEKO 14357

en Kashiwagi, Makoto

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Hirata, Shuzo

× Hirata, Shuzo

WEKO 14358

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Harada, Kentaro

× Harada, Kentaro

WEKO 14359

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Zheng, Yanqiong

× Zheng, Yanqiong

WEKO 14360

en Zheng, Yanqiong

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宮崎, 康次

× 宮崎, 康次

WEKO 679
e-Rad_Researcher 70315159
Scopus著者ID 7403193768
ORCiD 0000-0001-6002-343X

ja 宮崎, 康次

en Miyazaki, Koji

ja-Kana ミヤザキ, コウジ


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Yahiro, Masayuki

× Yahiro, Masayuki

WEKO 14362

en Yahiro, Masayuki

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Adachi, Chihaya

× Adachi, Chihaya

WEKO 14363

en Adachi, Chihaya

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 A porous thin film of Bi0.4Te3Sb1.6 with an enhanced figure of merit of 1.8 at room temperature was fabricated by flash evaporation on an alumina substrate containing hexagonally arranged nanopores with an average diameter of 20 nm, separated by an average distance of 50 nm. The thermal conductivity was significantly reduced compared with standard Bi0.4Te3Sb1.6 films to 0.25 W/(m?K) with no major decrease in either the electrical conductivity (398 S/cm) or the Seebeck coefficient (198 μV/K). The reduction in thermal conductivity was rationalized using a model for the full distribution of the phonon mean free path in the film.
書誌情報 Applied Physics Letters

巻 98, 号 2, p. 023114-1-023114-3, 発行日 2011-01-17
出版社
出版者 American Institute of Physics
DOI
関連タイプ isIdenticalTo
識別子タイプ DOI
関連識別子 https://doi.org/10.1063/1.3543852
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 0003-6951
ISSN
収録物識別子タイプ EISSN
収録物識別子 1077-3118
著作権関連情報
権利情報 Copyright © 2011 American Institute of Physics.This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.
キーワード
主題Scheme Other
主題 antimony compounds
キーワード
主題Scheme Other
主題 bismuth compounds
キーワード
主題Scheme Other
主題 electrical conductivity
キーワード
主題Scheme Other
主題 nanoporous materials
キーワード
主題Scheme Other
主題 phonons
キーワード
主題Scheme Other
主題 porous semiconductors
キーワード
主題Scheme Other
主題 Seebeck effect
キーワード
主題Scheme Other
主題 semiconductor growth
キーワード
主題Scheme Other
主題 semiconductor thin films
キーワード
主題Scheme Other
主題 thermal conductivity
キーワード
主題Scheme Other
主題 vacuum deposition
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
査読の有無
値 yes
研究者情報
URL https://hyokadb02.jimu.kyutech.ac.jp/html/26_ja.html
連携ID
値 59
業績ID
値 7B25BA73C78017694925781B001AE240
情報源
識別子タイプ URI
関連識別子 http://www.aip.org/
関連名称 http://www.aip.org/
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Ver.1 2023-05-15 13:46:47.716740
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