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  1. 学会・会議発表論文
  2. 学会・会議発表論文

Sub-micron Junction Termination for 1200V Class Devices toward CMOS Process Compatibility

http://hdl.handle.net/10228/5756
http://hdl.handle.net/10228/5756
84c81bac-76ce-48e9-9e17-e936cdffed6e
名前 / ファイル ライセンス アクション
nperc28.pdf nperc28.pdf (659.1 kB)
Item type 会議発表論文 = Conference Paper(1)
公開日 2016-09-13
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_5794
資源タイプ conference paper
タイトル
タイトル Sub-micron Junction Termination for 1200V Class Devices toward CMOS Process Compatibility
言語 en
言語
言語 eng
著者 Seto, Kota

× Seto, Kota

WEKO 16311

en Seto, Kota

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Takaishi, Junpei

× Takaishi, Junpei

WEKO 16312

en Takaishi, Junpei

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Imaki, Hironori

× Imaki, Hironori

WEKO 16313

en Imaki, Hironori

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Tanaka, Masahiro

× Tanaka, Masahiro

WEKO 16314

en Tanaka, Masahiro

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Tsukuda, Masanori

× Tsukuda, Masanori

WEKO 16315

en Tsukuda, Masanori

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大村, 一郎

× 大村, 一郎

WEKO 16176
e-Rad_Researcher 10510670
Scopus著者ID 7003814580
九工大研究者情報 69

en Omura, Ichiro

ja 大村, 一郎

ja-Kana オオムラ, イチロウ

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 This study shows, for the first time, possibility of very shallow junction termination in submicron scale. The 2D-TCAD simulations unveil even 0.2μm junction depth structures are capable of blocking 1200V and usability for power devices with more than two hundreds of guard rings. Very shallow structure has robustness against diffusion depth deviation by special guard ring arrangement.
備考
内容記述タイプ Other
内容記述 2013 25th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD), May 26-30, 2013, Ishikawa Ongakudo, Kanazawa. Japan.
書誌情報 2013 25th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD)

号 1943-653X, p. 281-284, 発行日 2013-05
出版社
出版社 IEEE
DOI
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ DOI
関連識別子 info:doi/10.1109/ISPSD.2013.6694441
著作権関連情報
権利情報 IEEE
出版タイプ
出版タイプ AM
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa
査読の有無
値 yes
連携ID
値 5559
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Ver.1 2023-05-15 14:33:42.943523
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