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  1. 学術雑誌論文
  2. 5 技術(工学)

P3HT-fiber-based field-effect transistor: Effects of nanostructure and annealing temperature

http://hdl.handle.net/10228/5937
http://hdl.handle.net/10228/5937
a0022406-de9c-463a-84b1-68d9539e1c9b
名前 / ファイル ライセンス アクション
10254635.pdf 10254635.pdf (739.7 kB)
Item type 学術雑誌論文 = Journal Article(1)
公開日 2016-12-09
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
タイトル
タイトル P3HT-fiber-based field-effect transistor: Effects of nanostructure and annealing temperature
言語 en
言語
言語 eng
著者 Shashi, Tiwari

× Shashi, Tiwari

WEKO 17166

en Shashi, Tiwari

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Tiwari, Shashi

× Tiwari, Shashi

WEKO 17167

en Tiwari, Shashi

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高嶋, 授

× 高嶋, 授

WEKO 3655
Scopus著者ID 35444440600

en Takashima, Wataru

ja 高嶋, 授

ja-Kana タカシマ, ワタル


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Balasubramanian, Sirkazhi Krithivasan

× Balasubramanian, Sirkazhi Krithivasan

WEKO 17169

en Balasubramanian, Sirkazhi Krithivasan

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Miyajima, Shougo

× Miyajima, Shougo

WEKO 17170

en Miyajima, Shougo

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永松, 秀一

× 永松, 秀一

WEKO 1670
e-Rad 70404093
Scopus著者ID 7006445804
ORCiD 0000-0002-9181-1831
九工大研究者情報 217

en Nagamatsu, Shuichi

ja 永松, 秀一

ja-Kana ナガマツ, シュウイチ


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パンディ, シャム スディル

× パンディ, シャム スディル

WEKO 6311
e-Rad 60457455
Scopus著者ID 7402453285
九工大研究者情報 332

en Pandey, Shyam Sudhir

ja パンディ, シャム スディル


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Prakash, Rajiv

× Prakash, Rajiv

WEKO 17173

en Prakash, Rajiv

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Poly(3-hexylthiophene) nanofibers were prepared under ambient conditions and applied in organic field-effect transistors (FETs). Top-contact FETs with spin-coated and nanofiber-based layers were fabricated to compare their transport performance. It was found that the nanofiber FET shows a higher performance than the spin-coated one. The effects of annealing on the device performance of the nanofiber FET were also investigated from room temperature to 120 °C. The key performance characteristics of the nanofiber FET, such as carrier mobility and ON/OFF ratio, were improved by low-temperature annealing up to 80 °C. However, they were degraded by high-temperature annealing at 120 °C. The modulation of the surface morphology observed by atomic force microscopy is consistent with the change in device performance. The results of the correlation analysis of the mobility, hysteresis, and OFF current indicate that the change in FET performance is due to the disappearance of nanofiber interspaces and the removal of adsorbed molecules by temperature-controlled annealing.
言語 en
書誌情報 en : Japanese Journal of Applied Physics

巻 53, 号 2, p. 021601, 発行日 2014-01-09
出版社
出版者 応用物理学会
言語 ja
DOI
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ DOI
関連識別子 https://doi.org/10.7567/JJAP.53.021601
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 0021-4922
ISSN
収録物識別子タイプ EISSN
収録物識別子 1347-4065
著作権関連情報
権利情報 Copyright (c) 2014 The Japan Society of Applied Physics
キーワード
主題Scheme Other
主題 organic field effect transistor
キーワード
主題Scheme Other
主題 polythiophene
キーワード
主題Scheme Other
主題 nanofiber
キーワード
主題Scheme Other
主題 anneal
出版タイプ
出版タイプ AM
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa
査読の有無
値 yes
研究者情報
URL https://hyokadb02.jimu.kyutech.ac.jp/html/401_ja.html
連携ID
値 5884
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Ver.1 2023-05-15 13:46:15.825420
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