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  1. 学術雑誌論文
  2. 5 技術(工学)

Ambipolar Transport in Bilayer Organic Field-Effect Transistor Based on Poly(3-hexylthiophene) and Fullerene Derivatives

http://hdl.handle.net/10228/5944
http://hdl.handle.net/10228/5944
3a4a3083-b956-4381-b25b-13c641b68ca1
名前 / ファイル ライセンス アクション
JJAP49_041601.pdf JJAP49_041601.pdf (654.8 kB)
アイテムタイプ 学術雑誌論文 = Journal Article(1)
公開日 2016-12-12
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
タイトル
タイトル Ambipolar Transport in Bilayer Organic Field-Effect Transistor Based on Poly(3-hexylthiophene) and Fullerene Derivatives
言語 en
言語
言語 eng
著者 Morita, Takeomi

× Morita, Takeomi

WEKO 17221

en Morita, Takeomi

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Singh, Vipul

× Singh, Vipul

WEKO 17222

en Singh, Vipul

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Oku, Shinya

× Oku, Shinya

WEKO 17223

en Oku, Shinya

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永松, 秀一

× 永松, 秀一

WEKO 1670
e-Rad 70404093
Scopus著者ID 7006445804
ORCiD 0000-0002-9181-1831
九工大研究者情報 217

en Nagamatsu, Shuichi

ja 永松, 秀一

ja-Kana ナガマツ, シュウイチ


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高嶋, 授

× 高嶋, 授

WEKO 3655
Scopus著者ID 35444440600

en Takashima, Wataru

ja 高嶋, 授

ja-Kana タカシマ, ワタル


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早瀬, 修二

× 早瀬, 修二

WEKO 25466
e-Rad 80336099
Scopus著者ID 7006203724

en Hayase, Shuzi

ja 早瀬, 修二

ja-Kana ハヤセ, シュウジ


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Kaneto, Keiichi

× Kaneto, Keiichi

WEKO 17227

en Kaneto, Keiichi

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Ambipolar characteristics in an organic field-effect transistor (FET) with a bilayer structure consisting of poly(3-hexylthiophene) (P3HT) and a fullerene derivative (PCBM) are reported. P3HT was deposited by a floating film transfer method (FTM) with toluene solution on spin-coated PCBM. The FTM-deposited film was found to show relatively high hole mobility even when cast using toluene solution. Even after coating P3HT on PCBM by FTM, a relatively high n-type transport was obtained. This indicates that FTM employed in this study is a mild way to coat an organic thin film on an organic semiconductor layer in terms of minimizing the effect of carrier transport in the underlayer. The transport characteristics have been discussed in comparison with those of ambipolar FETs prepared by other methods previously reported.
言語 en
書誌情報 en : Japanese Journal of Applied Physics

巻 49, 号 4R, p. 041601, 発行日 2010-04-20
出版社
出版者 応用物理学会
言語 ja
DOI
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ DOI
関連識別子 https://doi.org/10.1143/JJAP.49.041601
NCID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA12295836
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 0021-4922
ISSN
収録物識別子タイプ EISSN
収録物識別子 1347-4065
著作権関連情報
権利情報 Copyright (c) 2010 The Japan Society of Applied Physics
キーワード
主題Scheme Other
主題 Floating film transfer method
キーワード
主題Scheme Other
主題 Polythiophene
キーワード
主題Scheme Other
主題 PCBM
キーワード
主題Scheme Other
主題 Field effect transistor
キーワード
主題Scheme Other
主題 Ambipolar
キーワード
主題Scheme Other
主題 transport
出版タイプ
出版タイプ AM
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa
査読の有無
値 yes
研究者情報
URL https://hyokadb02.jimu.kyutech.ac.jp/html/401_ja.html
連携ID
値 5885
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Ver.1 2023-05-15 13:57:10.253517
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