WEKO3
アイテム
Enhanced Radiative Efficiency in Blue (In,Ga)N Multiple-Quantum-Well Light-Emitting Diodes with an Electron Reservoir Layer
http://hdl.handle.net/10228/413
http://hdl.handle.net/10228/413a6d3045a-74de-43c7-83b8-66907f411245
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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PHYSE_MSS11-YT-KF_d.pdf (270.4 kB)
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| アイテムタイプ | 学術雑誌論文 = Journal Article(1) | |||||||||||||
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| 公開日 | 2007-11-26 | |||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||
| タイトル | Enhanced Radiative Efficiency in Blue (In,Ga)N Multiple-Quantum-Well Light-Emitting Diodes with an Electron Reservoir Layer | |||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||
| 著者 |
Takahashi, Y
× Takahashi, Y× 佐竹, 昭泰
WEKO
252
× Fujiwawra, Kenzo× Shue, J.K× Jahn, U× Kostial, H× Grahn, H.T |
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| 抄録 | ||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||
| 内容記述 | Abstract: Temperature dependence of the EL spectral intensity is investigated between 20 and 300 K of a particularly designedblue (In,Ga)N/GaN multiple-quantum-well (MQW) light-emitting-diode (LED), which contains an additionally n-doped(In,Ga)N electron reservoir layer. The MQW-LED consists of In0.3Ga0.7N MQW layers with a nominal well width of 2.5 nmseparated by 6.5 nm GaN barrier layers, prepared by metal-organic vapor-phase epitaxy with and without an n-doped In0.18Ga0.82Nelectron reservoir layer in order to exploit the effects of such additional layer on the carrier capture rates. It is found that by addingthe electron reservoir layer, the EL spectral intensity is significantly enhanced over the wide temperature range for a fixed injectioncurrent level. These results indicate importance of the electron capture processes by radiative recombination centers in the InGaNMQW. | |||||||||||||
| 書誌情報 |
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 巻 21, 号 2-4, p. 876-880, 発行日 2004-03 |
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| 出版社 | ||||||||||||||
| 出版者 | Elsevier | |||||||||||||
| DOI | ||||||||||||||
| 関連タイプ | isVersionOf | |||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||||
| 関連識別子 | https://doi.org/10.1016/j.physe.2003.11.142 | |||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||
| 収録物識別子 | 1386-9477 | |||||||||||||
| 著作権関連情報 | ||||||||||||||
| 権利情報 | Copyright (c) 2003 Elsevier B.V. | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Semiconductor quantum well | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Electroluminescence | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | InGaN | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | LED | |||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||
| 出版タイプ | AM | |||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa | |||||||||||||
| 査読の有無 | ||||||||||||||
| 値 | yes | |||||||||||||
| 情報源 | ||||||||||||||
| 識別子タイプ | URI | |||||||||||||
| 関連識別子 | http://www.sciencedirect.com/science/journal/13869477 | |||||||||||||
| 関連名称 | http://www.sciencedirect.com/science/journal/13869477 | |||||||||||||
