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  1. 学術雑誌論文
  2. 4 自然科学

Anomalous temperature dependence of the photoluminescence properties in GaAs triple quantum wells with growth islands

http://hdl.handle.net/10228/488
http://hdl.handle.net/10228/488
482f0e4c-94d2-4d1a-949e-90dcf9e8cfd7
名前 / ファイル ライセンス アクション
ISCSRv2.pdf ISCSRv2.pdf (142.4 kB)
アイテムタイプ 学術雑誌論文 = Journal Article(1)
公開日 2007-12-11
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
タイトル
タイトル Anomalous temperature dependence of the photoluminescence properties in GaAs triple quantum wells with growth islands
言語
言語 eng
著者 佐竹, 昭泰

× 佐竹, 昭泰

WEKO 252
e-Rad 90325572
Scopus著者ID 56259812400
九工大研究者情報 86

en Satake, Akihiro

ja 佐竹, 昭泰

ja-Kana サタケ, アキヒロ


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Hayata, K

× Hayata, K

WEKO 1194

Hayata, K

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Shiraishi, N

× Shiraishi, N

WEKO 1195

Shiraishi, N

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藤原, 賢三

× 藤原, 賢三

WEKO 1138
e-Rad 90243980
Scopus著者ID 7403468236

en Fujiwara, Kenzo

ja 藤原, 賢三

ja-Kana フジワラ, ケンゾウ


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Schrottke, L

× Schrottke, L

WEKO 1197

Schrottke, L

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Hey, R

× Hey, R

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Hey, R

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Grahn, H.T

× Grahn, H.T

WEKO 1199

Grahn, H.T

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 We have investigated the effect of different cladding layer configurations on the photoluminescence (PL) properties of GaAs triple quantum wells (QWs) with different well thicknesses (Lz=7.8, 5.5, and 3.5 nm) embedded in Al0.17Ga0.83As barriers. In sample 1, the cladding layers consist of ternary alloy Al0.3Ga0.7As layers, while in sample 2 they are formed by GaAs/AlAs short period superlattices. At low temperatures, the cw PL spectra for sample 1 show a non-uniform intensity distribution over the three QW excitionic lines. The PL intensity for the widest QW (7.8 nm) is much weaker than that for the other QWs. Furthermore, an anomalous temperature dependence of the PL transients of the widest QW is observed, which differs from the one expected for the excitonic radiative recombination lifetime. However, sample 2 exhibits the typical temperature dependence of the PL lifetime. The temperature dependence of the PL dynamics indicates that the non-uniform distribution of the PL intensity at low temperatures in the former sample is a result of a competition between carrier relaxation and capture processes.
書誌情報 Institute of Physics conference series

巻 170, p. 473-478, 発行日 2002
出版社
出版者 IOP Publishing
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 1742-6588
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 1742-6596
著作権関連情報
権利情報 Copyright (c) 2002 IOP Publishing Ltd
出版タイプ
出版タイプ AM
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa
査読の有無
値 yes
情報源
識別子タイプ URI
関連識別子 http://www.iop.org/
関連名称 http://www.iop.org/
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Ver.1 2023-05-15 13:07:25.755537
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