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  1. 学術雑誌論文
  2. 5 技術(工学)

Structure Oriented Compact Model for Advanced Trench IGBTs without Fitting Parameters for Extreme Condition: part I

http://hdl.handle.net/10228/5774
http://hdl.handle.net/10228/5774
e4839f2e-8ca8-4ec7-b3ca-caf65b4fb913
名前 / ファイル ライセンス アクション
nperc12.pdf nperc12.pdf (404.3 kB)
Item type 学術雑誌論文 = Journal Article(1)
公開日 2016-09-13
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
タイトル
タイトル Structure Oriented Compact Model for Advanced Trench IGBTs without Fitting Parameters for Extreme Condition: part I
言語 en
言語
言語 eng
著者 Tanaka, M.

× Tanaka, M.

WEKO 16397

en Tanaka, M.

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大村, 一郎

× 大村, 一郎

WEKO 16176
e-Rad 10510670
Scopus著者ID 7003814580
九工大研究者情報 69

en Omura, Ichiro

ja 大村, 一郎

ja-Kana オオムラ, イチロウ


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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 A device structure based compact model for advanced trench gate IGBTs is proposed. The model is formulated only with device structure parameters so that no fitting parameters are required. The model is applicable to extreme conditions such as under very low or high temperatures. The validity of the model formulation is confirmed with two-dimensional TCAD simulation for voltage range of 1.2kV and 3.3kV IGBTs, and for temperature range of 300K and 450K. In this paper conduction mode formulation is proposed which has the potential to be used for system level failure analysis.
言語 en
備考
内容記述タイプ Other
内容記述 2011 22nd European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, ESREF 2011, Oct 3-7, 2011, Universit Bordeaux 1, Domaine Haut Carr, Agora Talence, France
書誌情報 en : Microelectronics reliability

巻 51, 号 9-11, p. 1933-1937, 発行日 2011-08-05
出版社
出版者 Elsevier
DOI
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ DOI
関連識別子 https://doi.org/10.1016/j.microrel.2011.07.050
NCID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA11538014
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 0026-2714
ISSN
収録物識別子タイプ EISSN
収録物識別子 1872-941X
著作権関連情報
権利情報 Elsevier
出版タイプ
出版タイプ AM
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa
査読の有無
値 yes
連携ID
値 5595
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Ver.1 2023-05-15 14:33:23.776560
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