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  1. 学術雑誌論文
  2. 4 自然科学

A Rhombic Dodecahedral Honeycomb Structure with Cation Vacancy Ordering in a γ-Ga2O3 Crystal

http://hdl.handle.net/10228/00006231
http://hdl.handle.net/10228/00006231
03393801-cb5c-4a47-afa7-77d4fb73d742
名前 / ファイル ライセンス アクション
cgd13_8_3577_3581.pdf cgd13_8_3577_3581.pdf (1.4 MB)
アイテムタイプ 学術雑誌論文 = Journal Article(1)
公開日 2017-06-02
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
タイトル
タイトル A Rhombic Dodecahedral Honeycomb Structure with Cation Vacancy Ordering in a γ-Ga2O3 Crystal
言語
言語 eng
著者 Mitome, Masanori

× Mitome, Masanori

WEKO 20104

Mitome, Masanori

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古曵, 重美

× 古曵, 重美

WEKO 20416
e-Rad 00261248
Scopus著者ID 35414509400

en Kohiki, Shigemi

ja 古曵, 重美

ja-Kana コヒキ, シゲミ


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Nagai, Takuro

× Nagai, Takuro

WEKO 20106

Nagai, Takuro

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Kurashima, Keiji

× Kurashima, Keiji

WEKO 20107

Kurashima, Keiji

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Kimoto, Koji

× Kimoto, Koji

WEKO 20108

Kimoto, Koji

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Bando, Yoshio

× Bando, Yoshio

WEKO 20109

Bando, Yoshio

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 The crystal structure of a γ-Ga2O3 layer grown epitaxially on an MgO substrate by a vapor phase transport method was investigated by transmission electron microscopy, electron diffraction, and scanning transmission electron microscopy with aberration correctors. Some forbidden reflections were excited in electron diffraction patterns by double reflection from the vicinity of the substrate interface. Phase boundaries are observed in atomic column images using high-angle annular dark field images. A structure model is proposed to explain the experimental results. Cation vacancy ordering is introduced in the structure model to distort the γ-Ga2O3 crystal lattice along one axis and reduce the lattice mismatch with the substrate. Some grains are formed and alter the directions to reduce the distortion for the other axis. The grains are stacked with {110} phase boundaries and form a rhombic dodecahedral honeycomb. The rhombic dodecahedral honeycomb structure model with cation vacancy ordering is stabilized by the lattice mismatch between the γ-Ga2O3 crystal and the MgO substrate, and it disappears at a depth of 170 nm from the interface.
書誌情報 Crystal Growth & Design

巻 13, 号 8, p. 3577-3581, 発行日 2013-07-11
出版社
出版者 American Chemical Society
DOI
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ DOI
関連識別子 info:doi/10.1021/cg400542x
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 1528-7483
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 1528-7505
著作権関連情報
権利情報 American Chemical Society
著作権関連情報
権利情報 This document is the unedited author's version of a Submitted Work that was subsequently accepted for publication in Crystal Growth & Design, copyright © American Chemical Society after peer review. To access the final edited and published work, see http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/cg400542x.
キーワード
主題Scheme Other
主題 γ-Ga2O3
キーワード
主題Scheme Other
主題 defect spinel structure
キーワード
主題Scheme Other
主題 Epitaxial growth
キーワード
主題Scheme Other
主題 Cation vacancy ordering
キーワード
主題Scheme Other
主題 Rhombic dodecahedral honeycomb
出版タイプ
出版タイプ AM
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa
査読の有無
値 yes
研究者情報
URL https://hyokadb02.jimu.kyutech.ac.jp/html/102_ja.html
論文ID(連携)
値 10257011
連携ID
値 5989
情報源
識別子タイプ URI
関連識別子 http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/cg400542x
関連名称 http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/cg400542x
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Ver.1 2023-05-15 13:57:32.275485
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