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  1. 学会・会議発表論文
  2. 学会・会議発表論文

Temperature-dependent Magnetoresistance Effects in Fe3Si/FeSi2/Fe3Si Trilayered Spin Valve Junctions

http://hdl.handle.net/10228/00007116
http://hdl.handle.net/10228/00007116
1dda6c6c-34a1-45e7-9ad8-f33770562bb9
名前 / ファイル ライセンス アクション
scunit-2018_47.pdf scunit-2018_47.pdf (3.0 MB)
アイテムタイプ 会議発表論文 = Conference Paper(1)
公開日 2019-04-02
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_5794
資源タイプ conference paper
タイトル
タイトル Temperature-dependent Magnetoresistance Effects in Fe3Si/FeSi2/Fe3Si Trilayered Spin Valve Junctions
言語 en
その他のタイトル
その他のタイトル Temperature-dependent magnetoresistance effects in Fe3Si/FeSi2/Fe3Si trilayered spin valve junctions
言語 en
言語
言語 eng
著者 Ishibashi, Kazuya

× Ishibashi, Kazuya

WEKO 24364

en Ishibashi, Kazuya

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Kudo, Kazuki

× Kudo, Kazuki

WEKO 24365

en Kudo, Kazuki

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Nakashima, Kazutoshi

× Nakashima, Kazutoshi

WEKO 24366

en Nakashima, Kazutoshi

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Asai, Yuki

× Asai, Yuki

WEKO 24367

en Asai, Yuki

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Sakai, Ken-ichiro

× Sakai, Ken-ichiro

WEKO 24368

en Sakai, Ken-ichiro

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出口, 博之

× 出口, 博之

WEKO 1115
e-Rad_Researcher 30192206
Scopus著者ID 7102514064

ja 出口, 博之

en Deguchi, Hiroyuki

ja-Kana デグチ, ヒロユキ

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Yoshitake, Tsuyoshi

× Yoshitake, Tsuyoshi

WEKO 24370

en Yoshitake, Tsuyoshi

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Fe3Si/FeSi2/Fe3Si trilayered junctions were fabricated by facing targets direct-current sputtering combined with a mask method, and the spin valve signals of the junctions were studied in the temperature range from 50 to 300 K. Whereas the magnetoresistance ratio of giant magnetoresistance and tunnel magnetoresistance junctions monotonically increases with decreasing temperature, that of our samples has the maximum value around 80 K and decreases with decreasing temperature at lower than 80 K, which might be due to an increase in the electrical conductivity mismatch between the metallic Fe3Si layers and semiconducting FeSi2 interlayer in the low temperature range.
備考
内容記述タイプ Other
内容記述 Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials — Science and Technology Towards Sustainable Electronics (APAC Silicide 2016), July 16-18, 2016, Fukuoka, Japan
書誌情報 JJAP Conference Proceedings

巻 5, p. 011501-1-011501-8, 発行日 2016-07-18
出版社
出版社 応用物理学会
DOI
関連タイプ isIdenticalTo
識別子タイプ DOI
関連識別子 https://doi.org/10.7567/JJAPCP.5.011501
ISBN
識別子タイプ ISBN
関連識別子 978-4-86348-617-1
著作権関連情報
権利情報 Copyright (c) 2017 The Author(s). Content from this work may be used under the terms of the Creative Commons Attribution 4.0 license. Any further distribution of this work must maintain attribution to the author(s) and the title of the work, journal citation and DOI.
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
査読の有無
値 yes
連携ID
値 7595
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Ver.1 2023-05-15 13:37:56.053893
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