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  1. 学術雑誌論文
  2. 5 技術(工学)

Interplay of external and internal field effects on radiative recombination efficiency in InGaN quantum well diodes

http://hdl.handle.net/10228/308
http://hdl.handle.net/10228/308
c03772d8-774c-48e8-88e9-ea9ffcfebbe7
名前 / ファイル ライセンス アクション
kenfuji_iscs2005ms_revised.pdf kenfuji_iscs2005ms_revised.pdf (372.2 kB)
アイテムタイプ 学術雑誌論文 = Journal Article(1)
公開日 2007-11-14
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
タイトル
タイトル Interplay of external and internal field effects on radiative recombination efficiency in InGaN quantum well diodes
言語 en
言語
言語 eng
著者 Aizawa, H

× Aizawa, H

WEKO 253

en Aizawa, H

Search repository
Soejima, K

× Soejima, K

WEKO 254

en Soejima, K

Search repository
Hori, A

× Hori, A

WEKO 255

en Hori, A

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佐竹, 昭泰

× 佐竹, 昭泰

WEKO 252
e-Rad 90325572
Scopus著者ID 56259812400
九工大研究者情報 86

en Satake, Akihiro

ja 佐竹, 昭泰

ja-Kana サタケ, アキヒロ


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藤原, 賢三

× 藤原, 賢三

WEKO 1138
e-Rad 90243980
Scopus著者ID 7403468236

en Fujiwara, Kenzo

ja 藤原, 賢三

ja-Kana フジワラ, ケンゾウ


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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Electroluminescence (EL) and photoluminescence (PL) properties have been investigated of the highbrightnessgreen InGaN single quantum well (SQW) diode over a wide temperature range (T = 15-300 K)and as a function of injection current level. When the necessary forward bias conditions to get a certaincurrent level are different, it is found the anomalous temperature-dependent EL efficiency varies quite differently.That is, when the current is low and thus the forward driving voltage is small, the EL quenchingobserved below 100 K for high injection current levels is less significant or even absent due to the efficientcarrier capture. This finding is consistent with decrease of the PL efficiency with increasing the biasover +2.5 V. These results indicate that the EL efficiency is significantly influenced by interplay of the internaland external fields effects on the carrier capture and escape processes in addition to the localizationphenomena caused by In fluctuations in the SQW layer.
言語 en
書誌情報 en : Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics

巻 3, 号 3, p. 589-593, 発行日 2006-02
出版社
出版者 Wiley
DOI
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ DOI
関連識別子 https://doi.org/10.1002/pssc.200564117
NCID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA12375141
ISSN
収録物識別子タイプ EISSN
収録物識別子 1610-1642
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 1862-6351
著作権関連情報
権利情報 Copyright (c) 2006 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim
出版タイプ
出版タイプ AM
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa
査読の有無
値 yes
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Ver.1 2023-05-15 13:12:54.536513
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