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  1. 学術雑誌論文
  2. 5 技術(工学)

Role of device architecture and AlOX interlayer in organic Schottky diodes and their interpretation by analytical modeling

http://hdl.handle.net/10228/00007679
http://hdl.handle.net/10228/00007679
c8fffaf6-7296-4745-883b-e19436befc05
名前 / ファイル ライセンス アクション
10350045.pdf 10350045.pdf (1.3 MB)
アイテムタイプ 学術雑誌論文 = Journal Article(1)
公開日 2020-03-31
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
タイトル
タイトル Role of device architecture and AlOX interlayer in organic Schottky diodes and their interpretation by analytical modeling
言語 en
言語
言語 eng
著者 Kumari, Nikita

× Kumari, Nikita

WEKO 27127

en Kumari, Nikita

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Pandey, Manish

× Pandey, Manish

WEKO 27128

en Pandey, Manish

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Hamada, Kengo

× Hamada, Kengo

WEKO 27129

en Hamada, Kengo

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Hirotani, Daisuke

× Hirotani, Daisuke

WEKO 27130

en Hirotani, Daisuke

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永松, 秀一

× 永松, 秀一

WEKO 1670
e-Rad 70404093
Scopus著者ID 7006445804
ORCiD 0000-0002-9181-1831
九工大研究者情報 217

en Nagamatsu, Shuichi

ja 永松, 秀一

ja-Kana ナガマツ, シュウイチ


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早瀬, 修二

× 早瀬, 修二

WEKO 25466
e-Rad 80336099
Scopus著者ID 7006203724

en Hayase, Shuzi

ja 早瀬, 修二

ja-Kana ハヤセ, シュウジ


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パンディ, シャム スディル

× パンディ, シャム スディル

WEKO 6311
e-Rad 60457455
Scopus著者ID 7402453285
九工大研究者情報 332

en Pandey, Shyam Sudhir

ja パンディ, シャム スディル


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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Considering the pivotal role of interfaces in controlling the performance of organic electronic devices, implications of metal/organic interfacial quality in a Schottky barrier diode (SBD) are investigated. The nature of metal/organic interfaces and the thin film quality of regioregular poly (3-hexylthiophene) based SBDs fabricated in different device architectures are investigated using experimental and theoretical modeling. The importance of oxidized aluminum nanostructures as an interlayer at the Schottky interface for the dramatic enhancement of the rectification ratio (>106 at ±5 V) has been demonstrated, which is attributed to suppressed leakage current due to the oxide layer and the formation of a charge double layer. Furthermore, electrical performances of all the SBDs were modeled in terms of an underlying particular phenomenon solely or with the combination of multiple physical phenomena. The combined modeling equation used in this work fits well for the different device architectures, which validates its generality in order to extract the device parameters.
言語 en
書誌情報 en : Journal of Applied Physics

巻 126, 号 12, p. 125501-1-125501-12, 発行日 2019-09-25
出版社
出版者 American Institute of Physics
言語 en
DOI
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ DOI
関連識別子 https://doi.org/10.1063/1.5109083
日本十進分類法
主題Scheme NDC
主題 549
NCID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00693547
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 0021-8979
ISSN
収録物識別子タイプ EISSN
収録物識別子 1089-7550
著作権関連情報
権利情報 Copyright (c) 2019 Author(s).
キーワード
主題Scheme Other
主題 Organic Schottky Diode
キーワード
主題Scheme Other
主題 Thermionic Emission
キーワード
主題Scheme Other
主題 Space Charge Limiting Current
キーワード
主題Scheme Other
主題 Trap States, Conjugated Polymer
キーワード
主題Scheme Other
主題 Analytical Modeling
出版タイプ
出版タイプ AM
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa
査読の有無
値 yes
研究者情報
URL https://hyokadb02.jimu.kyutech.ac.jp/html/332_ja.html
論文ID(連携)
値 10350045
連携ID
値 8180
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Ver.1 2023-05-15 13:07:37.019263
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