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  1. 学術雑誌論文
  2. 4 自然科学

Unipolarization of ambipolar organic field effect transistors toward high-impedance complementary metal-oxide-semiconductor circuits

http://hdl.handle.net/10228/1256
http://hdl.handle.net/10228/1256
a3aac362-fb69-4ccc-a1e5-5fd6199bf040
名前 / ファイル ライセンス アクション
1.2770963.pdf 1.2770963.pdf (318.7 kB)
Item type 学術雑誌論文 = Journal Article(1)
公開日 2009-02-05
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
タイトル
タイトル Unipolarization of ambipolar organic field effect transistors toward high-impedance complementary metal-oxide-semiconductor circuits
言語 en
言語
言語 eng
著者 高嶋, 授

× 高嶋, 授

WEKO 3655
Scopus著者ID 35444440600

en Takashima, Wataru

ja 高嶋, 授

ja-Kana タカシマ, ワタル


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Murasaki, Tsutomu

× Murasaki, Tsutomu

WEKO 3745

en Murasaki, Tsutomu

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永松, 秀一

× 永松, 秀一

WEKO 1670
e-Rad 70404093
Scopus著者ID 7006445804
ORCiD 0000-0002-9181-1831
九工大研究者情報 217

en Nagamatsu, Shuichi

ja 永松, 秀一

ja-Kana ナガマツ, シュウイチ


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Morita, Takeomi

× Morita, Takeomi

WEKO 3747

en Morita, Takeomi

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金藤, 敬一

× 金藤, 敬一

WEKO 3748

en Kaneto, Keiichi

ja 金藤, 敬一

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Ambipolar organic field effect transistors (OFETs), consisting of a composite of polyhexylthiophene (PHT) and [6,6]-phenyl C61-butylic acid methyl ester (PCBM), was converted into a p- or n-type OFET by insertion of a thin tetracyanoquinodimethane (TCNQ) or tetrathiafluvalene (TTF) buffer layer. The interface in the Au/TCNQ/PHT:PCBM composite transports hole but blocks electron, while the transported carrier was switched to electron with insertion of a TTF layer. The selective transport is probably due to vacuum level matching or temporal doping. High impedance in a complementary metal-oxide-semiconductor inverter was demonstrated with unipolarized ambipolar FETs, resulting in a decrease in the through current.
言語 en
書誌情報 en : Applied Physics Letters

巻 91, 号 07, p. 071905-1-071905-3, 発行日 2007-08-13
出版社
出版者 American Institute of Physics
言語 en
DOI
関連タイプ isIdenticalTo
識別子タイプ DOI
関連識別子 info:doi/10.1063/1.2770963
CRID
関連タイプ isIdenticalTo
識別子タイプ URI
関連識別子 https://cir.nii.ac.jp/crid/1050282813886503936
NCID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00543431
ISSN
収録物識別子タイプ EISSN
収録物識別子 1077-3118
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 0003-6951
著作権関連情報
権利情報 Copyright (c) 2007 Applied of Institute of Physics
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
査読の有無
値 yes
研究者情報
URL https://hyokadb02.jimu.kyutech.ac.jp/html/217_ja.html
連携ID
値 33
業績ID
値 0721FF5874389FA64925738B0034ED4F
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Ver.1 2023-05-15 14:03:47.304168
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