WEKO3
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Temperature and current dependent capture of injected carriers in InGaN single-quantum-well light-emitting diodes
http://hdl.handle.net/10228/394
http://hdl.handle.net/10228/39422ae2f57-809e-408a-88f1-acca15e73cb3
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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MsNew-ISBLLED_SQW-LED_.pdf (55.8 kB)
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Item type | 学術雑誌論文 = Journal Article(1) | |||||||||||
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公開日 | 2007-11-22 | |||||||||||
資源タイプ | ||||||||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||
資源タイプ | journal article | |||||||||||
タイトル | ||||||||||||
タイトル | Temperature and current dependent capture of injected carriers in InGaN single-quantum-well light-emitting diodes | |||||||||||
言語 | en | |||||||||||
言語 | ||||||||||||
言語 | eng | |||||||||||
著者 |
Hori, A
× Hori, A× Yasunaga, D× 佐竹, 昭泰
WEKO
252
× 藤原, 賢三 |
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抄録 | ||||||||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||
内容記述 | Temperature and injection current dependence of electroluminescence (EL) spectral intensity of thesuper-bright InGaN single quantum well (SQW) light emitting diodes (LED’s) has been carefullyinvestigated over a wide temperature range (T = 15-300 K) and as a function of injection current level(0.1-10 mA). It is found that, when T is decreased slightly to 140 K, the EL intensity efficiently increasesdue to reduced non-raiative recombination processes. However, further decrease of T below 100 K, itdrastically decreases due to the reduced carrier capturing by the localized recombination centers andshows a clear trend of saturation, accompanying decreases of the EL differential efficiency. Theseresults are analyzed within a context of rate equation model assuming a finite number of radiativerecombination centers. | |||||||||||
言語 | en | |||||||||||
書誌情報 |
en : Physica status solidi. A, Applied research 巻 192, 号 1, p. 44-48, 発行日 2002-06 |
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出版社 | ||||||||||||
出版者 | Wiley | |||||||||||
DOI | ||||||||||||
関連タイプ | isVersionOf | |||||||||||
識別子タイプ | DOI | |||||||||||
関連識別子 | https://doi.org/10.1002/1521-396X(200207)192:1<44::AID-PSSA44>3.0.CO;2-4 | |||||||||||
NCID | ||||||||||||
収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||
収録物識別子 | AA00773453 | |||||||||||
ISSN | ||||||||||||
収録物識別子タイプ | EISSN | |||||||||||
収録物識別子 | 1862-6319 | |||||||||||
ISSN | ||||||||||||
収録物識別子タイプ | PISSN | |||||||||||
収録物識別子 | 0031-8965 | |||||||||||
著作権関連情報 | ||||||||||||
権利情報 | Copyright (c) 2002 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co., physica status solidi(a),192,1,p44-48 | |||||||||||
キーワード | ||||||||||||
主題Scheme | Other | |||||||||||
主題 | 73.50.Gr | |||||||||||
キーワード | ||||||||||||
主題Scheme | Other | |||||||||||
主題 | 78.60.Fi | |||||||||||
キーワード | ||||||||||||
主題Scheme | Other | |||||||||||
主題 | 78.67.De | |||||||||||
出版タイプ | ||||||||||||
出版タイプ | AM | |||||||||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa | |||||||||||
査読の有無 | ||||||||||||
値 | yes | |||||||||||
著者別名 | ||||||||||||
名 | Akihiro | |||||||||||
言語 | en | |||||||||||
名 | 昭泰 | |||||||||||
言語 | ja | |||||||||||
名 | アキヒロ | |||||||||||
言語 | ja-Kana | |||||||||||
著者別名 | ||||||||||||
名 | Kenzo | |||||||||||
言語 | en | |||||||||||
名 | 賢三 | |||||||||||
言語 | ja | |||||||||||
名 | ケンゾウ | |||||||||||
言語 | ja-Kana |
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Cite as
Hori, A, Yasunaga, D, 佐竹, 昭泰, 藤原, 賢三, 2002, Temperature and current dependent capture of injected carriers in InGaN single-quantum-well light-emitting diodes: Wiley, 44–48 p.
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