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  1. 学術雑誌論文
  2. 5 技術(工学)

Temperature and current dependent capture of injected carriers in InGaN single-quantum-well light-emitting diodes

http://hdl.handle.net/10228/394
http://hdl.handle.net/10228/394
22ae2f57-809e-408a-88f1-acca15e73cb3
名前 / ファイル ライセンス アクション
MsNew-ISBLLED_SQW-LED_.pdf MsNew-ISBLLED_SQW-LED_.pdf (55.8 kB)
Item type 学術雑誌論文 = Journal Article(1)
公開日 2007-11-22
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
タイトル
タイトル Temperature and current dependent capture of injected carriers in InGaN single-quantum-well light-emitting diodes
言語 en
言語
言語 eng
著者 Hori, A

× Hori, A

WEKO 724

en Hori, A

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Yasunaga, D

× Yasunaga, D

WEKO 725

en Yasunaga, D

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佐竹, 昭泰

× 佐竹, 昭泰

WEKO 252
e-Rad 90325572
Scopus著者ID 56259812400
九工大研究者情報 86

en Satake, Akihiro

ja 佐竹, 昭泰

ja-Kana サタケ, アキヒロ


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藤原, 賢三

× 藤原, 賢三

WEKO 1138
e-Rad 90243980
Scopus著者ID 7403468236

en Fujiwara, Kenzo

ja 藤原, 賢三

ja-Kana フジワラ, ケンゾウ


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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Temperature and injection current dependence of electroluminescence (EL) spectral intensity of thesuper-bright InGaN single quantum well (SQW) light emitting diodes (LED’s) has been carefullyinvestigated over a wide temperature range (T = 15-300 K) and as a function of injection current level(0.1-10 mA). It is found that, when T is decreased slightly to 140 K, the EL intensity efficiently increasesdue to reduced non-raiative recombination processes. However, further decrease of T below 100 K, itdrastically decreases due to the reduced carrier capturing by the localized recombination centers andshows a clear trend of saturation, accompanying decreases of the EL differential efficiency. Theseresults are analyzed within a context of rate equation model assuming a finite number of radiativerecombination centers.
言語 en
書誌情報 en : Physica status solidi. A, Applied research

巻 192, 号 1, p. 44-48, 発行日 2002-06
出版社
出版者 Wiley
DOI
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ DOI
関連識別子 https://doi.org/10.1002/1521-396X(200207)192:1<44::AID-PSSA44>3.0.CO;2-4
NCID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00773453
ISSN
収録物識別子タイプ EISSN
収録物識別子 1862-6319
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 0031-8965
著作権関連情報
権利情報 Copyright (c) 2002 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co., physica status solidi(a),192,1,p44-48
キーワード
主題Scheme Other
主題 73.50.Gr
キーワード
主題Scheme Other
主題 78.60.Fi
キーワード
主題Scheme Other
主題 78.67.De
出版タイプ
出版タイプ AM
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa
査読の有無
値 yes
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Ver.1 2023-05-15 13:43:00.976030
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