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  1. 学術雑誌論文
  2. 5 技術(工学)

Temperature and voltage measurement for field test using an Aging-Tolerant monitor

http://hdl.handle.net/10228/00006260
http://hdl.handle.net/10228/00006260
d7895582-ca3a-4d82-85d9-c6d9a6807fd8
名前 / ファイル ライセンス アクション
tvlsis_24_11_3282.pdf tvlsis_24_11_3282.pdf (2.8 MB)
アイテムタイプ 学術雑誌論文 = Journal Article(1)
公開日 2017-07-11
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
タイトル
タイトル Temperature and voltage measurement for field test using an Aging-Tolerant monitor
言語 en
言語
言語 eng
著者 Miyake, Yousuke

× Miyake, Yousuke

WEKO 20248

en Miyake, Yousuke

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Sato, Yasuo

× Sato, Yasuo

WEKO 20249

en Sato, Yasuo

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梶原, 誠司

× 梶原, 誠司

WEKO 1147
e-Rad 80252592
Scopus著者ID 7005061314

ja 梶原, 誠司

en Kajihara, Seiji

ja-Kana カジハラ, セイジ


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Miura, Yukiya

× Miura, Yukiya

WEKO 20251

en Miura, Yukiya

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Measuring temperature and voltage (T&V) in a current VLSI is very important in guaranteeing its reliability, because a large variation of temperature or voltage in field will reduce a delay margin and makes the chip behavior unreliable. This paper proposes a novel method of T&V measurement, which can be used for variety of applications, such as field test, online test, or hot-spot monitoring. The method counts frequencies of more than one ring oscillator (RO), which composes an aging-tolerant monitor. Then, the T&V are derived from the frequencies using a multiple regression analysis. To improve the accuracy of measurement, three techniques of an optimal selection of RO types, their calibration, and hierarchical calculation are newly introduced. In order to make sure the proposed method, circuit simulation in 180-, 90-, and 45-nm CMOS technologies is performed. In the 180-nm CMOS technology, the temperature accuracy is within 0.99 °C, and the voltage accuracy is within 4.17 mV. Furthermore, some experimental results using fabricated test chips with 180-nm CMOS technology confirm its feasibility.
言語 en
書誌情報 en : IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems

巻 24, 号 11, p. 3282-3295, 発行日 2016-11-01
出版社
出版者 IEEE
DOI
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ DOI
関連識別子 https://doi.org/10.1109/TVLSI.2016.2540654
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 1063-8210
ISSN
収録物識別子タイプ EISSN
収録物識別子 1557-9999
著作権関連情報
権利情報 Copyright (c) 2016 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including reprinting/republishing this material for advertising or promotional purposes, creating new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works.
キーワード
主題Scheme Other
主題 Temperature monitor
キーワード
主題Scheme Other
主題 voltage monitor
キーワード
主題Scheme Other
主題 ring oscillator
キーワード
主題Scheme Other
主題 field test
キーワード
主題Scheme Other
主題 delay test
出版タイプ
出版タイプ AM
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa
査読の有無
値 yes
研究者情報
URL https://hyokadb02.jimu.kyutech.ac.jp/html/201_ja.html
論文ID(連携)
値 10303999
連携ID
値 6192
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Ver.1 2023-05-15 13:58:30.488325
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