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  1. 学術雑誌論文
  2. 4 自然科学

Correlation between resistivity and oxygen vacancy of hydrogen-doped indium tin oxide thin films

http://hdl.handle.net/10228/00006434
http://hdl.handle.net/10228/00006434
6ee726ce-5d14-4707-b0db-e4d2864b6630
名前 / ファイル ライセンス アクション
tsf_519_11.pdf tsf_519_11.pdf (802.8 kB)
Item type 学術雑誌論文 = Journal Article(1)
公開日 2017-11-15
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
タイトル
タイトル Correlation between resistivity and oxygen vacancy of hydrogen-doped indium tin oxide thin films
言語
言語 eng
著者 Okada, Koichi

× Okada, Koichi

WEKO 21058

Okada, Koichi

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古曵, 重美

× 古曵, 重美

WEKO 20416
e-Rad 00261248
Scopus著者ID 35414509400

en Kohiki, Shigemi

ja 古曵, 重美

ja-Kana コヒキ, シゲミ


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Luo, Suning

× Luo, Suning

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Luo, Suning

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Sekiba, Daiichiro

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Ishii, Satoshi

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Mitome, Masanori

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Kohno, Atsushi

× Kohno, Atsushi

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Tajiri, Takayuki

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Tajiri, Takayuki

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Shoji, Fumiya

× Shoji, Fumiya

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Shoji, Fumiya

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Thin films of indium tin oxide (ITO) sputter-deposited by dc-plasma containing deuterium on glass substrate without any heat treatments exhibited gradual lowering in electrical resistivity with increasing the deuterium content [D2] in plasma gas by 1% and then demonstrated a jump in resistivity by further increase of [D2] than 1%. X-ray photoelectron spectroscopy revealed that hydroxyl-bonded oxygen in ITO grew continuingly with [D2]. Deuterium positioned at the interstitial site increased almost quantitatively with increasing [D2]. Rutherford backscattering spectroscopy showed gradual reduction in the oxygen content of ITO with increasing [D2] by 1% and then demonstrated an abrupt increase of the oxygen content with the increase of [D2] than 1%. The films with [D2] < 1% were oxygen deficient, but those with [D2] > 1% were excess of oxygen. The most oxygen deficient film of [D2] = 1% was the most conductive. Behavior in the resistivity with [D2] looks parallel to that in the oxygen content. A lower resistivity of the films corresponded well to oxygen vacancy rather than hydrogen interstitial.
書誌情報 Thin Solid Films

巻 519, 号 11, p. 3557-3561, 発行日 2011-03-31
出版社
出版者 Elsevier
DOI
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ DOI
関連識別子 info:doi/10.1016/j.tsf.2011.01.249
NCID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00863068
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0040-6090
著作権関連情報
権利情報 Copyright (c) 2011 Elsevier B.V. All rights reserved.
キーワード
主題Scheme Other
主題 Interstitial hydrogen
キーワード
主題Scheme Other
主題 Oxygen vacancy
キーワード
主題Scheme Other
主題 Indium tin oxide thin films
キーワード
主題Scheme Other
主題 X-ray photoelectron spectroscopy
キーワード
主題Scheme Other
主題 Rutherford backscattering spectroscopy
出版タイプ
出版タイプ AM
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa
査読の有無
値 yes
研究者情報
URL https://hyokadb02.jimu.kyutech.ac.jp/html/102_ja.html
論文ID(連携)
値 10020166
連携ID
値 262
情報源
識別子タイプ DOI
関連識別子 https://doi.org/10.1016/j.tsf.2011.01.249
関連名称 https://doi.org/10.1016/j.tsf.2011.01.249
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Ver.1 2023-05-15 13:57:40.515140
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