WEKO3
アイテム
スケーリングIGBTが拓くパワーエレクトロニクスの新しいパラダイム
http://hdl.handle.net/10228/00006482
http://hdl.handle.net/10228/000064821d4c86d5-2c1f-4688-8d3e-e96671243e78
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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nperc101.pdf (773.8 kB)
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| アイテムタイプ | 学術雑誌論文 = Journal Article(1) | |||||||||||||
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| 公開日 | 2017-12-27 | |||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||
| タイトル | スケーリングIGBTが拓くパワーエレクトロニクスの新しいパラダイム | |||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||
| その他のタイトル | ||||||||||||||
| その他のタイトル | スケーリングIGBTが拓(ひら)くパワーエレクトロニクスの新しいパラダイム | |||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||
| 著者 |
平本, 俊郎
× 平本, 俊郎× 大村, 一郎
WEKO
16176
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| 抄録 | ||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||
| 内容記述 | Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)のスケーリング則は，デバイス性能の向上に加えて，ゲートドライブ電圧の低減により集積回路と一体化することを可能とする．我々は量産性に優れたシリコンテクノロジーと独自のスケーリングIGBTの概念をベースに，Internet of Things (IoT)や人工知能(AI)を駆使してパワーデバイス制御を自動最適化するパワーエレクトロニクスの新パラダイム構築を目指している．本稿ではその基本コンセプトと研究の一部を紹介する． | |||||||||||||
| 書誌情報 |
応用物理 巻 86, 号 11, p. 956-961, 発行日 2017-11 |
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| 出版社 | ||||||||||||||
| 出版者 | 社団法人応用物理学会 | |||||||||||||
| NAID | ||||||||||||||
| 関連タイプ | isVersionOf | |||||||||||||
| 識別子タイプ | NAID | |||||||||||||
| 関連識別子 | 40021381575 | |||||||||||||
| NCID | ||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||
| 収録物識別子 | AN00026679 | |||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | PISSN | |||||||||||||
| 収録物識別子 | 0369-8009 | |||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||
| 出版タイプ | AM | |||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa | |||||||||||||
| 査読の有無 | ||||||||||||||
| 値 | yes | |||||||||||||
| 連携ID | ||||||||||||||
| 値 | 6496 | |||||||||||||
| 情報源 | ||||||||||||||
| 識別子タイプ | URI | |||||||||||||
| 関連識別子 | https://www.jsap.or.jp/ap/2017/11/ob860956.html | |||||||||||||
