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  1. 学術雑誌論文
  2. 5 技術(工学)

Modelling of the shoot-through phenomenon introduced by the next generation IGBT in inverter applications

http://hdl.handle.net/10228/00007279
http://hdl.handle.net/10228/00007279
e05560e2-5b4c-4596-b036-fa387339a577
名前 / ファイル ライセンス アクション
nperc94.pdf nperc94.pdf (350.5 kB)
アイテムタイプ 学術雑誌論文 = Journal Article(1)
公開日 2019-07-04
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
タイトル
タイトル Modelling of the shoot-through phenomenon introduced by the next generation IGBT in inverter applications
言語 en
言語
言語 eng
著者 安部, 征哉

× 安部, 征哉

WEKO 21156
Scopus著者ID 7403335387
九工大研究者情報 100000750

en Abe, Seiya

ja 安部, 征哉

ja-Kana アベ, セイヤ


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Hasegawa, K.

× Hasegawa, K.

WEKO 24908

en Hasegawa, K.

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Tsukuda, M.

× Tsukuda, M.

WEKO 24909

en Tsukuda, M.

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Wada, K.

× Wada, K.

WEKO 24910

en Wada, K.

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大村, 一郎

× 大村, 一郎

WEKO 16176
e-Rad 10510670
Scopus著者ID 7003814580
九工大研究者情報 69

en Omura, Ichiro

ja 大村, 一郎

ja-Kana オオムラ, イチロウ


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Ninomiya, T.

× Ninomiya, T.

WEKO 24912

en Ninomiya, T.

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 The shoot-through phenomenon has not been fully discussed for high-power inverters with IGBTs. This is because a negative gate voltage is applied to IGBTs during off states. Recently, attention is paid to an improved gate driver with only a positive gate voltage in order to meet demands for simplification, integration, and reduction in power consumption as well as in cost of the gate driver. Moreover, the threshold voltage of the next-generation IGBT will decrease with microfabrication techniques of the gate structure. This will make the shoot-through phenomenon severer and degrade the inverter reliability with the next-generation IGBTs. The influence of the parasitic parameters in both the IGBT and circuit on the shoot-through mechanism has not been investigated so far.This paper clarifies the shoot-through mechanism and investigates the impact of the next generation IGBTs on the inverter reliability. The influence of the internal capacitance of IGBT including stray inductance on inverter reliability is experimentally confirmed.
言語 en
書誌情報 en : Microelectronics Reliability

巻 76-77, p. 465-469, 発行日 2017-07-04
出版社
出版者 Elsevier
DOI
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ DOI
関連識別子 https://doi.org/10.1016/j.microrel.2017.06.087
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 0026-2714
ISSN
収録物識別子タイプ EISSN
収録物識別子 1872-941X
著作権関連情報
権利情報 Elsevier
出版タイプ
出版タイプ AM
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa
査読の有無
値 yes
連携ID
値 6485
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Ver.1 2023-05-15 14:09:23.943697
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